Istruktura sa Barrel nga SiC Coating para sa Susceptor sa Barrel

Istruktura sa Barrel nga SiC Coating para sa Barrel Susceptor Gipili nga Imahe

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Semicera nagtanyag og komprehensibo nga han-ay sa mga susceptor ug graphite components nga gidisenyo para sa nagkalain-laing epitaxy reactors.

Pinaagi sa estratehikong pakigtambayayong sa mga nanguna sa industriya nga OEM, halapad nga kahanas sa mga materyales, ug abante nga kapabilidad sa paggama, ang Semicera naghatud sa gipahaom nga mga disenyo aron matubag ang piho nga mga kinahanglanon sa imong aplikasyon. Ang among pasalig sa kahusayan nagsiguro nga makadawat ka sa labing maayo nga mga solusyon alang sa imong mga panginahanglanon sa epitaxy reactor.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang among kompanya naghatagSiC nga patongmga serbisyo sa pagproseso sa ibabaw sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales pinaagi sa pamaagi sa CVD, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon mahimong mo-react sa taas nga temperatura aron makakuha og taas nga kaputli nga mga molekula sa Sic, nga mahimong ideposito sa ibabaw sa mga giputos nga materyales aron maporma ang usa kaSiC nga panalipod nga layerpara sa epitaxy barrel type hypnotic.

Pangunang mga bahin:

1. Taas nga kaputli nga SiC coated graphite

2. Labaw nga resistensya sa kainit ug pagkaparehas sa kainit

3. MaayoGiputos sa kristal nga SiCpara sa hamis nga nawong

4. Taas nga kalig-on batok sa kemikal nga pagpanglimpyo

Pangunang mga Espesipikasyon saCVD-SIC Coating

Mga Kabtangan sa SiC-CVD
Kristal nga Istruktura	Hugna sa FCC β
Densidad	g/cm³	3.21
Katig-a	Katig-a sa Vickers	2500
Gidak-on sa Lugas	μm	2~10
Kemikal nga Kaputli	%	99.99995
Kapasidad sa Init	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimasyon	℃	2700
Kusog sa Felexural	MPa (RT 4-punto)	415
Modulus sa mga Batan-on	Gpa (4pt nga liko, 1300℃)	430
Pagpalapad sa Init (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktibidad sa kainit	(W/mK)	300