Tray nga MOCVD nga giputos sa SiC nga adunay taas nga kalidad nga kontra-oksihenasyon

Anti-oxidation high purity SiC coated MOCVD tray Gipili nga Imahe

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Semicera Energy Technology Co., Ltd. usa ka nanguna nga supplier nga espesyalista sa wafer ug advanced semiconductor consumables.Kami dedikado sa paghatag og taas nga kalidad, kasaligan, ug inobatibong mga produkto sa paggama og semiconductor,industriya sa photovoltaicug uban pang may kalabutan nga mga natad.

Ang among linya sa produkto naglakip sa SiC/TaC coated graphite nga mga produkto ug mga produkto sa seramiko, nga naglangkob sa lain-laing mga materyales sama sa silicon carbide, silicon nitride, ug aluminum oxide ug uban pa.

Isip usa ka kasaligan nga supplier, nasabtan namo ang kahinungdanon sa mga consumables sa proseso sa paggama, ug kami komitado sa paghatud sa mga produkto nga nakakab-ot sa labing taas nga mga sumbanan sa kalidad aron matubag ang mga panginahanglanon sa among mga kustomer.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon

Ang among kompanya naghatagSiC nga patongmga serbisyo sa proseso pinaagi sa pamaagi sa CVD sa ibabaw sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon mo-react sa taas nga temperatura aron makakuha og taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa ibabaw sa mga giputos nga materyales, nga nagporma og usa kaSiC nga panalipod nga layer.

Pangunang mga Kinaiya

1. Pagsukol sa taas nga temperatura sa oksihenasyon:
ang resistensya sa oksihenasyon maayo gihapon kaayo bisan kung ang temperatura moabot sa 1600 C.
2. Taas nga kaputli: gihimo pinaagi sa kemikal nga pagdeposito sa alisngaw ubos sa taas nga temperatura nga kondisyon sa klorasyon.
3. Pagsukol sa erosyon: taas nga katig-a, compact nga nawong, pino nga mga partikulo.
4. Pagsukol sa kaagnasan: asido, alkali, asin ug organikong mga reagent.

Pangunang mga Espesipikasyon sa CVD-SIC Coating

Mga Kabtangan sa SiC-CVD
Kristal nga Istruktura	Hugna sa FCC β
Densidad	g/cm³	3.21
Katig-a	Katig-a sa Vickers	2500
Gidak-on sa Lugas	μm	2~10
Kemikal nga Kaputli	%	99.99995
Kapasidad sa Init	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimasyon	℃	2700
Kusog sa Felexural	MPa (RT 4-punto)	415
Modulus sa mga Batan-on	Gpa (4pt nga liko, 1300℃)	430
Pagpalapad sa Init (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktibidad sa kainit	(W/mK)	300