Epitaksi sa silicon carbide (SiC)
Ang epitaxial tray, nga nagkupot sa SiC substrate para sa pagpatubo sa SiC epitaxial slice, gibutang sa reaction chamber ug direktang nagkontak sa wafer.
Ang ibabaw nga bahin sa half-moon usa ka tigdala alang sa ubang mga aksesorya sa reaction chamber sa Sic epitaxy equipment, samtang ang ubos nga bahin sa half-moon konektado sa quartz tube, nga nagpaila sa gas aron mopatuyok ang susceptor base. Kini makontrolar sa temperatura ug gi-install sa reaction chamber nga walay direktang kontak sa wafer.
Si epitaxy
Ang tray, nga nagkupot sa Si substrate para sa pagpatubo sa Si epitaxial slice, gibutang sa reaction chamber ug direktang nagkontak sa wafer.
Ang preheating ring nahimutang sa gawas nga singsing sa Si epitaxial substrate tray ug gigamit alang sa kalibrasyon ug pagpainit. Gibutang kini sa reaction chamber ug dili direktang mokontak sa wafer.
Usa ka epitaxial susceptor, nga nagkupot sa Si substrate para sa pagpatubo sa Si epitaxial slice, gibutang sa reaction chamber ug direktang mokontak sa wafer.
Ang epitaxial barrel usa ka importanteng sangkap nga gigamit sa nagkalain-laing proseso sa paggama sa semiconductor, nga kasagarang gigamit sa mga kagamitan sa MOCVD, nga adunay maayo kaayong thermal stability, chemical resistance ug wear resistance, nga angay gamiton sa mga proseso nga taas ang temperatura. Kini mokontak sa mga wafer.
| Pisikal nga mga kabtangan sa Recrystallized Silicon Carbide | |
| Kabtangan | Kasagaran nga Bili |
| Temperatura sa pagtrabaho (°C) | 1600°C (nga adunay oksiheno), 1700°C (makapamenos nga palibot) |
| Sulod sa SiC | > 99.96% |
| Libre nga sulud sa Si | <0.1% |
| Densidad sa kadaghanan | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Dayag nga porosidad | < 16% |
| Kusog sa kompresyon | > 600 MPa |
| Kusog sa pagliko sa bugnaw nga tubig | 80-90 MPa (20°C) |
| Kusog sa pagliko sa init | 90-100 MPa (1400°C) |
| Pagpalapad sa kainit @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Konduktibidad sa kainit @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastikong modulus | 240 GPa |
| Pagsukol sa thermal shock | Maayo kaayo |
| Pisikal nga mga kabtangan sa Sintered Silicon Carbide | |
| Kabtangan | Kasagaran nga Bili |
| Komposisyon sa Kemikal | SiC>95%, Si<5% |
| Densidad sa Bulk | >3.07 g/cm³ |
| Dayag nga porosidad | <0.1% |
| Modulus sa pagkabungkag sa 20℃ | 270 MPa |
| Modulus sa pagkabungkag sa 1200℃ | 290 MPa |
| Katig-a sa 20℃ | 2400 Kg/mm² |
| Kalig-on sa bali sa 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| Konduktibidad sa Init sa 1200℃ | 45 w/m .K |
| Pagpalapad sa kainit sa 20-1200 ℃ | 4.5 1 × 10 -6/℃ |
| Max. nga temperatura sa pagtrabaho | 1400℃ |
| Pagsukol sa thermal shock sa 1200℃ | Maayo |
| Mga batakang pisikal nga kabtangan sa mga pelikulang CVD SiC | |
| Kabtangan | Kasagaran nga Bili |
| Kristal nga Istruktura | FCC β phase polycrystalline, kasagaran (111) ang naka-orient |
| Densidad | 3.21 g/cm³ |
| Katig-a 2500 | （500g nga karga） |
| Gidak-on sa Lugas | 2~10μm |
| Kemikal nga Kaputli | 99.99995% |
| Kapasidad sa Init | 640 J·kg-1·K-1 |
| Temperatura sa Sublimasyon | 2700℃ |
| Kusog sa Pag-flex | 415 MPa RT 4-punto |
| Modulus ni Young | 430 Gpa 4pt nga liko, 1300℃ |
| Konduktibidad sa Init | 300W·m-1·K-1 |
| Pagpalapad sa Init (CTE) | 4.5×10-6 K -1 |
Pangunang mga bahin
Ang nawong baga ug walay mga pores.
Taas nga kaputli, kinatibuk-ang sulud sa hugaw <20ppm, maayo ang pagkasulod sa hangin.
Taas nga resistensya sa temperatura, ang kusog motaas uban sa pagtaas sa temperatura sa paggamit, nga moabot sa pinakataas nga kantidad sa 2750℃, sublimasyon sa 3600℃.
Ubos nga elastic modulus, taas nga thermal conductivity, ubos nga thermal expansion coefficient, ug maayo kaayo nga thermal shock resistance.
Maayong kemikal nga kalig-on, makasugakod sa asido, alkali, asin, ug organikong mga reagent, ug walay epekto sa tinunaw nga mga metal, slag, ug uban pang makadaot nga media. Dili kini mo-oxidize og dako sa atmospera nga ubos sa 400 C, ug ang rate sa oksihenasyon motaas pag-ayo sa 800 ℃.
Nga dili mopagawas og bisan unsang gas sa taas nga temperatura, kini makamentinar sa vacuum nga 10-7mmHg sa mga 1800°C.
Aplikasyon sa produkto
Natunaw nga tunawan para sa pag-alisngaw sa industriya sa semiconductor.
Taas nga gahum nga elektronik nga ganghaan sa tubo.
Brush nga mokontak sa voltage regulator.
Graphite monochromator para sa X-ray ug neutron.
Nagkalain-laing porma sa graphite substrates ug atomic absorption tube coating.
Epekto sa pyrolytic carbon coating ubos sa 500X microscope, nga adunay tibuok ug selyado nga nawong.
Ang TaC coating usa ka bag-ong henerasyon nga materyal nga makasugakod sa taas nga temperatura, nga adunay mas maayong kalig-on sa taas nga temperatura kaysa sa SiC. Isip usa ka coating nga makasugakod sa kaagnasan, anti-oxidation coating ug wear-resistant coating, magamit sa palibot nga labaw sa 2000C, kaylap nga gigamit sa aerospace ultra-high temperature hot end parts, ang ikatulo nga henerasyon sa semiconductor single crystal growth fields.
| Pisikal nga mga kabtangan sa TaC coating | |
| Densidad | 14.3 (g/cm3) |
| Piho nga emissivity | 0.3 |
| Koepisyent sa pagpalapad sa kainit | 6.3 10/K |
| Katig-a (HK) | 2000 HK |
| Pagsukol | 1x10-5 Ohm*cm |
| Kalig-on sa kainit | <2500℃ |
| Mga pagbag-o sa gidak-on sa grapayt | -10~-20um |
| Gibag-on sa patong | ≥220um tipikal nga kantidad (35um±10um) |
Ang mga solidong CVD SILICON CARBIDE nga mga piyesa giila nga pangunang kapilian alang sa mga singsing ug base sa RTP/EPI ug mga piyesa sa plasma etch cavity nga nag-operate sa taas nga gikinahanglan nga temperatura sa operasyon (> 1500°C), ang mga kinahanglanon alang sa kaputli labi ka taas (> 99.9995%) ug ang performance labi ka maayo kung ang resistensya sa mga kemikal labi ka taas. Kini nga mga materyales wala’y mga secondary phase sa ngilit sa lugas, mao nga ang ilang mga sangkap nagpatunghag gamay nga mga partikulo kaysa sa ubang mga materyales. Dugang pa, kini nga mga sangkap mahimong limpyohan gamit ang init nga HF/HCI nga adunay gamay nga pagkadaot, nga moresulta sa gamay nga mga partikulo ug mas taas nga kinabuhi sa serbisyo.
