Pasiuna sa Silicon Carbide Coating
Ang among Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) coating usa ka lig-on ug dili dali madaot nga layer, sulundon alang sa mga palibot nga nanginahanglan og taas nga corrosion ug thermal resistance.Taklap nga Silicon Carbidegigamit sa nipis nga mga lut-od sa lain-laing mga substrate pinaagi sa proseso sa CVD, nga nagtanyag og labaw nga mga kinaiya sa performance.
Pangunang mga Kinaiya
● -Talagsaong Kaputli: Nga adunay ultra-puro nga komposisyon sa99.99995%, ang atongSiC nga patongnagpamenos sa mga risgo sa kontaminasyon sa mga sensitibo nga operasyon sa semiconductor.
● -Labaw nga Pagsukol: Nagpakita og maayo kaayong resistensya sa pagkaguba ug taya, nga naghimo niini nga perpekto alang sa mahagitong kemikal ug plasma nga mga setting.
● -Taas nga Konduktibidad sa Init: Nagsiguro sa kasaligang performance ubos sa grabeng temperatura tungod sa talagsaong thermal properties niini.
● -Kalig-on sa Dimensyon: Nagmintinar sa integridad sa istruktura sa lainlaing mga temperatura, tungod sa ubos nga thermal expansion coefficient niini.
● -Gipausbaw nga Katig-a: Uban sa rating sa katig-a nga40 GPa, ang among SiC coating makasugakod sa dakong epekto ug abrasion.
● -Hapsay nga Katapusan sa Ibabaw: Naghatag og sama sa salamin nga pagkahuman, nga nagpamenos sa pagmugna og mga partikulo ug nagpausbaw sa kaepektibo sa operasyon.
Mga Aplikasyon
Semicera Mga coatings nga SiCgigamit sa lain-laing mga yugto sa paggama sa semiconductor, lakip ang:
● -Paghimo sa LED Chip
● -Produksyon sa Polisilikon
● -Pagtubo sa Kristal sa Semikonduktor
● -Epitaksi sa Silikon ug SiC
● -Thermal Oxidation ug Diffusion (TO&D)
Nagsuplay kami og mga SiC-coated nga mga component nga hinimo gikan sa high-strength isostatic graphite, carbon fiber-reinforced carbon ug 4N recrystallized silicon carbide, nga gipahaom para sa fluidized-bed reactors,Mga STC-TCS converter, CZ unit reflector, SiC wafer boat, SiCwafer paddle, SiC wafer tube, ug mga wafer carrier nga gigamit sa PECVD, silicon epitaxy, ug mga proseso sa MOCVD.
Mga Kaayohan
● -Gilugwayan nga Kinabuhi: Makapakunhod pag-ayo sa downtime sa kagamitan ug mga gasto sa pagmentinar, nga makapauswag sa kinatibuk-ang kahusayan sa produksiyon.
● -Gipauswag nga Kalidad: Makab-ot ang taas nga kaputli nga mga nawong nga gikinahanglan alang sa pagproseso sa semiconductor, sa ingon nagpalambo sa kalidad sa produkto.
● -Nadugangan nga Kaepektibo: Mo-optimize sa mga proseso sa thermal ug CVD, nga moresulta sa mas mubo nga oras sa siklo ug mas taas nga abot.
Teknikal nga mga Espisipikasyon
● -Istruktura: FCC β phase polycrystaline, kasagaran (111)oriented
● -Densidad: 3.21 g/cm³
● -Katig-a: 2500 Vickes nga katig-a (500g nga karga)
● -Kalig-on sa Bali: 3.0 MPa·m1/2
● -Koepisyente sa Pagpalapad sa Init (100–600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● -Elastic Modulus(1300℃):435 GPa
● -Kasagaran nga Gibag-on sa Pelikula:100 µm
● -Kagaspang sa Ibabaw:2-10 µm
Datos sa Kaputli (Gisukod pinaagi sa Glow Discharge Mass Spectroscopy)
| Elemento | ppm | Elemento | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| Al | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
