Singsing nga Giputos sa Tantalum Carbide

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Tantalum carbide coating usa ka abante nga teknolohiya sa surface coating nga naggamit sa tantalum carbide nga materyal aron maporma ang usa ka gahi, dili dali madaot, ug dili dali madaot nga panalipod nga layer sa ibabaw sa substrate. Kini nga coating adunay maayo kaayong mga kabtangan nga makapausbaw pag-ayo sa katig-a sa materyal, resistensya sa taas nga temperatura, ug resistensya sa kemikal, samtang nagpamenos sa friction ug wear. Ang mga tantalum carbide coating kay kaylap nga gigamit sa lain-laing mga natad, lakip ang industriyal nga paggama, aerospace, automotive engineering, ug medikal nga kagamitan, aron mapalugwayan ang kinabuhi sa materyal, mapaayo ang kahusayan sa produksiyon, ug makunhuran ang gasto sa pagmentinar. Bisan kung kini nanalipod sa mga metal nga nawong gikan sa corrosion o nagpausbaw sa resistensya sa wear ug resistensya sa oksihenasyon sa mga mekanikal nga bahin, ang mga tantalum carbide coating naghatag usa ka kasaligan nga solusyon alang sa lain-laing mga aplikasyon.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang Semicera naghatag og espesyal nga tantalum carbide (TaC) coatings para sa nagkalain-laing components ug carriers.Ang proseso sa pag-coat nga nanguna sa Semicera nagtugot sa tantalum carbide (TaC) coatings nga makab-ot ang taas nga kaputli, taas nga kalig-on sa temperatura ug taas nga resistensya sa kemikal, nga nagpauswag sa kalidad sa produkto sa mga kristal sa SIC/GAN ug mga layer sa EPI (Susceptor nga TaC nga giputos sa grapayt), ug pagpalugway sa kinabuhi sa mga importanteng sangkap sa reaktor. Ang paggamit sa tantalum carbide TaC coating mao ang pagsulbad sa problema sa ngilit ug pagpauswag sa kalidad sa pagtubo sa kristal, ug ang Semicera Semicera nakahimo og dakong kausaban sa pagsulbad sa teknolohiya sa tantalum carbide coating (CVD), nga nakaabot sa internasyonal nga abanteng lebel.

Human sa mga katuigan sa pag-uswag, nalupig sa Semicera ang teknolohiya saCVD TaCuban sa hiniusang paningkamot sa departamento sa R&D. Dali ra mahitabo ang mga depekto sa proseso sa pagtubo sa mga SiC wafer, apan human sa paggamitTaC, dako ang kalainan. Sa ubos mao ang pagtandi sa mga wafer nga adunay ug walay TaC, ingon man ang mga parte sa Simicera' para sa single crystal growth.

Bahin sa Tac para sa pagtubo nga single crystal

Antiwear tantalum carbide coating_ Manalipod sa kagamitan gikan sa pagkaguba ug kaagnasan Gipili nga Imahe

Grapito nga adunay singsing nga giputos sa TaC

uban ug walay TaC

Human sa paggamit sa TaC (tuo)

Dugang pa, ang kinabuhi sa serbisyo sa mga produkto sa Semicera nga TaC coating mas taas ug mas makasugakod sa taas nga temperatura kaysa sa SiC coating. Human sa taas nga panahon sa datos sa pagsukod sa laboratoryo, ang among TaC mahimong molihok sa dugay nga panahon sa labing taas nga 2300 degrees Celsius. Ang mosunod mao ang pipila sa among mga sample: