Taas nga Kinabuhi sa Serbisyo nga SiC Coated Graphite Carrier Para sa Solar Wafer

Taas nga Kinabuhi sa Serbisyo sa SiC Coated Graphite Carrier Para sa Solar Wafer Gipili nga Hulagway

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Silicon carbide usa ka bag-ong klase sa seramiko nga adunay taas nga gasto ug maayo kaayong mga kabtangan sa materyal. Tungod sa mga kinaiya sama sa taas nga kusog ug katig-a, taas nga resistensya sa temperatura, maayo nga thermal conductivity ug resistensya sa kemikal nga kaagnasan, ang Silicon Carbide halos makasugakod sa tanang kemikal nga medium. Busa, ang SiC kaylap nga gigamit sa pagmina sa lana, kemikal, makinarya ug kahanginan, bisan ang enerhiya sa nukleyar ug militar adunay espesyal nga mga panginahanglan sa SIC. Ang pipila ka normal nga aplikasyon nga among ikatanyag mao ang mga seal ring para sa bomba, balbula ug protective armor ug uban pa.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Mga Bentaha

Taas nga temperatura nga resistensya sa oksihenasyon
Maayo kaayo nga resistensya sa kaagnasan
Maayong resistensya sa abrasion
Taas nga koepisyente sa konduktibidad sa kainit
Kaugalingong lubrication, ubos nga densidad
Taas nga katig-a
Gidisenyo nga gipahaom.

Mga Aplikasyon

-Dili daling madaot nga Nataran: bushing, plate, sandblasting nozzle, cyclone lining, grinding barrel, ug uban pa...
-Taas nga Temperatura nga Natad: siC Slab, Quenching Furnace Tube, Radiant Tube, crucible, Heating Element, Roller, Beam, Heat Exchanger, Cold Air Pipe, Burner Nozzle, Thermocouple Protection Tube, SiC boat, Kiln car structure, Setter, ug uban pa.
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer boat, sic chuck,sic paddle, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, suction plate, guideway, ug uban pa.
-Silicon Carbide Seal Field: tanang klase sa sealing ring, bearing, bushing, ug uban pa.
-Photovoltaic nga Natad: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, ug uban pa.
-Natad sa Baterya sa Lithium

WAFER (1)

WAFER (2)

Pisikal nga mga Kabtangan sa SiC

Kabtangan	Bili	Pamaagi
Densidad	3.21 g/cc	Lumutang sa lababo ug dimensyon
Espesipikong kainit	0.66 J/g °K	Nagpulso nga laser flash
Kusog sa pag-flex	450 MPa560 MPa	4 ka punto nga liko, RT4 nga punto nga liko, 1300°
Kalig-on sa bali	2.94 MPa m1/2	Mikroindentasyon
Katig-a	2800	Vicker's, 500g nga karga
Elastic Modulus (Modulus ni Young)	450 GPa430 GPa	4 pt nga liko, RT4 pt nga liko, 1300 °C
Gidak-on sa lugas	2 – 10 µm	SEM

Mga Kinaiya sa Thermal sa SiC

Konduktibidad sa Init	250 W/m °K	Pamaagi sa pagkidlap sa laser, RT
Pagpalapad sa Init (CTE)	4.5 x 10-6 °K	Temperatura sa kwarto hangtod sa 950 °C, silica dilatometer

Mga Teknikal nga Parameter

Butang	Yunit	Datos
Butang	Yunit	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
Sulod sa SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Libre nga sulud sa silicon	%	15	0	0	0	0
Pinakataas nga temperatura sa serbisyo	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Densidad	g/cm³	3.02	2.75-2.85	3.08-3.16	2.65-2.75	2.75-2.85
Bukas nga porosidad	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Kusog sa pagliko 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Kusog sa pagduko 1200℃	Мpa	280	180	400	120	/
Modulus sa elastisidad 20℃	GPA	330	580	420	240	/
Modulus sa elastisidad 1200℃	GPA	300	/	/	200	/
Konduktibidad sa kainit 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Koepisyent sa pagpalapad sa kainit	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m²^m2	2115	/	2800	/	/

Ang CVD silicon carbide coating sa gawas nga bahin sa recrystallized silicon carbide ceramic nga mga produkto makaabot sa kaputli nga labaw sa 99.9999% aron matubag ang mga panginahanglan sa mga kustomer sa industriya sa semiconductor.