CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Kinatibuk-ang Pagtan-aw:CVDkinabag-ang silicon carbide (SiC)usa ka gipangita nga materyal sa mga kagamitan sa plasma etching, mga aplikasyon sa rapid thermal processing (RTP), ug uban pang mga proseso sa paggama sa semiconductor. Ang talagsaon nga mekanikal, kemikal, ug thermal nga mga kabtangan niini naghimo niini nga usa ka sulundon nga materyal alang sa mga aplikasyon sa abante nga teknolohiya nga nanginahanglan taas nga katukma ug kalig-on.
Mga Aplikasyon sa CVD Bulk SiC:Ang Bulk SiC importante sa industriya sa semiconductor, ilabina sa mga plasma etching system, diin ang mga component sama sa focus rings, gas showerheads, edge rings, ug platens nakabenepisyo gikan sa talagsaong corrosion resistance ug thermal conductivity sa SiC. Ang gamit niini naglakip saRTPmga sistema tungod sa kapasidad sa SiC nga makasugakod sa paspas nga pag-usab-usab sa temperatura nga walay dakong pagkadaot.
Gawas sa mga kagamitan sa pag-ukit, ang CVDkadaghan nga SiCgipalabi sa mga diffusion furnace ug mga proseso sa pagtubo sa kristal, diin gikinahanglan ang taas nga thermal stability ug resistensya sa grabe nga kemikal nga palibot. Kini nga mga hiyas naghimo sa SiC nga materyal nga gipili alang sa mga aplikasyon nga taas og panginahanglan nga naglambigit sa taas nga temperatura ug mga corrosive gas, sama sa mga adunay chlorine ug fluorine.
Mga Kaayohan sa mga CVD Bulk SiC Components:
•Taas nga Densidad:Nga adunay densidad nga 3.2 g/cm³,CVD nga bulk SiCang mga sangkap niini lig-on nga makasugakod sa kadaot ug mekanikal nga kadaot.
•Labaw nga Thermal Conductivity:Nagtanyag og thermal conductivity nga 300 W/m·K, ang bulk SiC episyenteng modumala sa kainit, nga naghimo niini nga sulundon alang sa mga sangkap nga naladlad sa grabe nga thermal cycles.
•Talagsaong Pagsukol sa Kemikal:Ang ubos nga reaktibiti sa SiC sa mga etching gas, lakip ang chlorine ug fluorine-based nga mga kemikal, nagsiguro sa mas taas nga kinabuhi sa component.
•Mapasibo nga Resistivity: Mga CVD bulk SiCAng resistivity mahimong ipasibo sulod sa range nga 10⁻²–10⁴ Ω-cm, nga naghimo niini nga dali ipahiangay sa piho nga mga panginahanglanon sa pag-etching ug semiconductor.
•Koepisyent sa Pagpalapad sa Init:Uban sa thermal expansion coefficient nga 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), ang CVD bulk SiC makasugakod sa thermal shock, nga nagmintinar sa dimensional stability bisan atol sa paspas nga heating ug cooling cycles.
•Kalig-on sa Plasma:Ang pagkaladlad sa plasma ug reactive gases dili kalikayan sa mga proseso sa semiconductor, apanCVD nga bulk SiCnagtanyag og mas maayong resistensya sa taya ug pagkadaot, nga nagpamenos sa frequency sa pag-ilis ug kinatibuk-ang gasto sa pagmentinar.
Teknikal nga mga Espisipikasyon:
•Diametro:Labaw sa 305 mm
•Resistivity:Ma-adjust sulod sa 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densidad:3.2 g/cm³
•Konduktibidad sa Init:300 W/m·K
•Koepisyent sa Pagpalapad sa Init:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Pag-customize ug Pagka-flexible:SaSemicera Semiconductor, nasabtan namo nga ang matag aplikasyon sa semiconductor mahimong magkinahanglan og lain-laing mga espesipikasyon. Mao kini ang hinungdan nga ang among mga CVD bulk SiC nga mga sangkap hingpit nga mapasibo, nga adunay mapasibo nga resistivity ug gipahaom nga mga dimensyon aron mohaum sa mga panginahanglanon sa imong kagamitan. Kung nag-optimize ka man sa imong mga plasma etching system o nangita alang sa lig-on nga mga sangkap sa RTP o mga proseso sa diffusion, ang among CVD bulk SiC naghatag ug dili hitupngan nga performance.
