SiC Cantilever paddlegigamit sa diffusion coating furnace sa industriya sa photovoltaic para sa pag-coat sa monocrystalline ug polycrystalline silicon wafers. Ang kinaiya niini makapahimo niini nga makasugakod sa taas nga temperatura ug kaagnasan, nga naghatag niini og taas nga kinabuhi.
AngSiC Cantilever paddlenaghatud ug SiC nga mga sakayan/quartz nga mga sakayan nga nagdala ug silicon wafer ngadto sa high temperature diffusion coating furnace tube.
Ang gitas-on sa atongSiC Cantilever paddlegikan sa 1,500 ngadto sa 3,500 mm.Mga paddle nga SiC Cantileverang dimensyon mahimong ipasibo sumala sa espesipikasyon sa kustomer.
| Pisikal nga mga kabtangan sa Recrystallized Silicon Carbide | |
| Kabtangan | Kasagaran nga Bili |
| Temperatura sa pagtrabaho (°C) | 1600°C (nga adunay oksiheno), 1700°C (makapamenos nga palibot) |
| Sulod sa SiC | > 99.96% |
| Libre nga sulud sa Si | < 0.1% |
| Densidad sa kadaghanan | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Dayag nga porosidad | < 16% |
| Kusog sa kompresyon | > 600 MPa |
| Kusog sa pagliko sa bugnaw nga tubig | 80-90 MPa (20°C) |
| Kusog sa pagliko sa init | 90-100 MPa (1400°C) |
| Pagpalapad sa kainit @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Konduktibidad sa kainit @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastikong modulus | 240 GPa |
| Pagsukol sa thermal shock | Maayo kaayo |





