Himan sa Graphite nga Giputos sa Silicon Carbide para sa Epitaxy

Himan sa Silicon Carbide Coated Graphite para sa Epitaxy Gipili nga Hulagway

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Semicera nagtanyag og komprehensibo nga han-ay sa mga susceptor ug graphite components nga gidisenyo para sa nagkalain-laing epitaxy reactors.

Pinaagi sa estratehikong pakigtambayayong sa mga nanguna sa industriya nga OEM, halapad nga kahanas sa mga materyales, ug abante nga kapabilidad sa paggama, ang Semicera naghatud sa gipahaom nga mga disenyo aron matubag ang piho nga mga kinahanglanon sa imong aplikasyon. Ang among pasalig sa kahusayan nagsiguro nga makadawat ka sa labing maayo nga mga solusyon alang sa imong mga panginahanglanon sa epitaxy reactor.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon

Ang among kompanya naghatag og serbisyo sa proseso sa pag-coat sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa ibabaw sa graphite, seramika ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon mo-react sa taas nga temperatura aron makakuha og taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga ideposito sa ibabaw sa mga materyales nga gi-coat, nga nagporma og SIC protective layer.

mahitungod sa (1)

mahitungod sa (2)

Pangunang mga Kinaiya

1. Taas nga kaputli nga SiC coated graphite

2. Labaw nga resistensya sa kainit ug pagkaparehas sa kainit

3. Pino nga SiC crystal nga giputos para sa hamis nga nawong

4. Taas nga kalig-on batok sa kemikal nga pagpanglimpyo

Pangunang mga Espesipikasyon sa CVD-SIC Coating

Mga Kabtangan sa SiC-CVD
Kristal nga Istruktura	Hugna sa FCC β
Densidad	g/cm³	3.21
Katig-a	Katig-a sa Vickers	2500
Gidak-on sa Lugas	μm	2~10
Kemikal nga Kaputli	%	99.99995
Kapasidad sa Init	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimasyon	℃	2700
Kusog sa Felexural	MPa (RT 4-punto)	415
Modulus sa mga Batan-on	Gpa (4pt nga liko, 1300℃)	430
Pagpalapad sa Init (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktibidad sa kainit	(W/mK)	300