Silikon nga Carbide nga Seramik

Ang Silicon carbide usa ka klase sa sintetikong carbide nga adunay molekula sa SiC. Kung gipaandar, ang silica ug carbon kasagarang maporma sa taas nga temperatura nga labaw sa 2000°C. Ang Silicon carbide adunay teoretikal nga densidad nga 3.18g/cm3, usa ka Mohs hardness nga nagsunod sa diamante, ug usa ka microhardness nga 3300kg/mm3 tali sa 9.2 ug 9.8. Tungod sa taas nga katig-a ug taas nga resistensya sa pagkaguba, kini adunay mga kinaiya sa resistensya sa taas nga temperatura ug gigamit alang sa lainlaing mga bahin nga dili madaot, dili madaot sa kaagnasan ug taas nga temperatura nga mekanikal. Kini usa ka bag-ong klase sa teknolohiya sa seramiko nga dili madaot.

1. Mga kabtangan sa kemikal.

(1) Resistensiya sa oksihenasyon: Kung ang materyal nga silicon carbide gipainit hangtod sa 1300 °C sa hangin, ang protective layer sa silicon dioxide magsugod sa paghimo sa ibabaw sa kristal niini nga silicon carbide. Uban sa paglapot sa protective layer, ang internal nga silicon carbide magpadayon sa pag-oxidize, aron ang silicon carbide adunay maayo nga resistensya sa oksihenasyon. Kung ang temperatura moabot sa labaw sa 1900K (1627 °C), ang protective film sa silicon dioxide magsugod sa pagkadaot, ug ang oksihenasyon sa silicon carbide mokusog, busa ang 1900K mao ang temperatura sa pagtrabaho sa silicon carbide sa usa ka oxidizing atmosphere.

(2) Pagsukol sa asido ug alkali: tungod sa papel sa silicon dioxide protective film, ang silicon carbide adunay mga kabtangan sa papel sa silicon dioxide protective film.

2. Pisikal ug mekanikal nga mga kabtangan.

(1) Densidad: Ang densidad sa partikulo sa nagkalain-laing kristal nga silicon carbide hapit kaayo, kasagaran giisip nga 3.20g/mm3, ug ang natural nga densidad sa pagputos sa mga abrasive nga silicon carbide anaa sa taliwala sa 1.2-1.6g/mm3, depende sa gidak-on sa partikulo, komposisyon sa gidak-on sa partikulo ug porma sa gidak-on sa partikulo.

(2) Katig-a: Ang katig-a sa silicon carbide base sa Mohs kay 9.2, ang micro-density sa Wessler kay 3000-3300kg/mm2, ang katig-a sa Knopp kay 2670-2815kg/mm, ang abrasive mas taas kay sa corundum, hapit sa diamond, cubic boron nitride ug boron carbide.

(3) Thermal conductivity: ang mga produkto sa silicon carbide adunay taas nga thermal conductivity, gamay nga thermal expansion coefficient, taas nga thermal shock resistance, ug taas nga kalidad nga refractory nga mga materyales.

3. Mga kabtangan sa kuryente.