Pasiuna sa CVD TaC Coating:
Ang CVD TaC Coating usa ka teknolohiya nga naggamit og chemical vapor deposition aron ideposito ang tantalum carbide (TaC) coating sa ibabaw sa substrate. Ang Tantalum carbide usa ka high-performance ceramic material nga adunay maayo kaayong mekanikal ug kemikal nga mga kabtangan. Ang proseso sa CVD makamugna og uniporme nga TaC film sa ibabaw sa substrate pinaagi sa gas reaction.
Pangunang mga bahin:
Maayo kaayo nga katig-a ug resistensya sa pagsul-obAng Tantalum carbide adunay taas kaayo nga katig-a, ug ang CVD TaC Coating makapauswag pag-ayo sa resistensya sa pagkaguba sa substrate. Kini naghimo sa coating nga sulundon alang sa mga aplikasyon sa mga palibot nga taas ang pagkaguba, sama sa mga himan sa pagputol ug mga molde.
Kalig-on sa Taas nga TemperaturaAng TaC coatings manalipod sa kritikal nga mga sangkap sa hurno ug reactor sa temperatura hangtod sa 2200°C, nga nagpakita sa maayong kalig-on. Gipadayon niini ang kemikal ug mekanikal nga kalig-on ubos sa grabeng mga kondisyon sa temperatura, nga naghimo niini nga angay alang sa pagproseso nga taas ang temperatura ug mga aplikasyon sa mga palibot nga taas ang temperatura.
Maayo kaayo nga kalig-on sa kemikalAng Tantalum carbide adunay kusog nga resistensya sa kaagnasan sa kadaghanan sa mga asido ug alkali, ug ang CVD TaC Coating epektibong makapugong sa kadaot sa substrate sa mga palibot nga adunay kaagnasan.
Taas nga punto sa pagkatunawAng Tantalum carbide adunay taas nga melting point (gibana-bana nga 3880°C), nga nagtugot sa CVD TaC Coating nga magamit sa grabeng taas nga temperatura nga dili matunaw o madaot.
Maayo kaayo nga thermal conductivityAng TaC coating adunay taas nga thermal conductivity, nga makatabang sa epektibong pagpalapad sa kainit sa mga proseso nga taas ang temperatura ug malikayan ang lokal nga sobrang pag-init.
Mga potensyal nga aplikasyon:
• Mga sangkap sa Gallium Nitride (GaN) ug Silicon Carbide epitaxial CVD reactor lakip ang mga wafer carrier, satellite dish, showerhead, kisame, ug susceptor
• Mga sangkap sa pagtubo sa kristal nga silicon carbide, gallium nitride ug aluminum nitride (AlN) lakip ang mga crucible, seed holder, guide ring ug mga filter
• Mga sangkap sa industriya lakip ang mga elemento sa pagpainit nga resistensya, mga nozzle sa ineksyon, mga singsing nga pang-masking ug mga brazing jig
Mga bahin sa aplikasyon:
• Lig-on ang temperatura nga labaw sa 2000°C, nga nagtugot sa pag-operate sa grabeng temperatura
•Masugakod sa hydrogen (Hz), ammonia (NH3), monosilane (SiH4) ug silicon (Si), nga naghatag og proteksyon sa lisod nga kemikal nga palibot
• Ang resistensya niini sa thermal shock makapaspas sa mga siklo sa operasyon
• Ang graphite adunay lig-on nga pagpilit, nga nagsiguro sa taas nga kinabuhi sa serbisyo ug walay delamination sa coating.
• Ultra-high purity aron matangtang ang dili kinahanglan nga mga hugaw o kontaminante
• Conformal coating coverage ngadto sa hugot nga dimensional tolerances
Teknikal nga mga detalye:
Pag-andam sa dasok nga tantalum carbide coatings pinaagi sa CVD:
TAC coating nga adunay taas nga crystallinity ug maayo kaayo nga pagkaparehas:
Mga Teknikal nga Parameter sa CVD TAC COATING_Semicera:
| Pisikal nga mga kabtangan sa TaC coating | |
| Densidad | 14.3 (g/cm³) |
| Konsentrasyon sa Bulk | 8 x 1015/sentimetro |
| Piho nga emissivity | 0.3 |
| Koepisyent sa pagpalapad sa kainit | 6.3 10-6/K |
| Katig-a (HK) | 2000 HK |
| Resistivity sa Bulk | 4.5 ohm-cm |
| Pagsukol | 1x10-5Ohm*cm |
| Kalig-on sa kainit | <2500℃ |
| Paglihok | 237 sentimetros2/Vs |
| Mga pagbag-o sa gidak-on sa grapayt | -10~-20um |
| Gibag-on sa patong | ≥20um tipikal nga kantidad (35um+10um) |
Ang mga naa sa ibabaw mao ang tipikal nga mga kantidad.













