Mga Custom Parts sa Tantalum Carbide TaC CVD Coating

Mubo nga Deskripsyon:

Uban sa pag-abot sa 8-pulgada nga silicon carbide (SiC) wafers, ang mga kinahanglanon alang sa lainlaing mga proseso sa semiconductor nahimong labi ka estrikto, labi na alang sa mga proseso sa epitaxy diin ang temperatura mahimong molapas sa 2000 degrees Celsius. Ang tradisyonal nga mga materyales sa susceptor, sama sa graphite nga giputos sa silicon carbide, lagmit nga mag-sublimate niining taas nga temperatura, nga makabalda sa proseso sa epitaxy. Bisan pa, ang CVD tantalum carbide (TaC) epektibo nga nagsulbad niini nga isyu, nga makasugakod sa temperatura hangtod sa 2300 degrees Celsius ug nagtanyag usa ka mas taas nga kinabuhi sa serbisyo. Kontaka ang Semicera's Mga Custom Parts sa Tantalum Carbide TaC CVD Coatingaron mas masusi ang among mga abanteng solusyon.

 


Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang Semicera naghatag og espesyal nga tantalum carbide (TaC) coatings para sa nagkalain-laing components ug carriers.Ang proseso sa pag-coat nga nanguna sa Semicera nagtugot sa tantalum carbide (TaC) coatings nga makab-ot ang taas nga kaputli, taas nga kalig-on sa temperatura ug taas nga resistensya sa kemikal, nga nagpauswag sa kalidad sa produkto sa mga kristal sa SIC/GAN ug mga layer sa EPI (Susceptor nga TaC nga giputos sa grapayt), ug pagpalugway sa kinabuhi sa mga importanteng sangkap sa reaktor. Ang paggamit sa tantalum carbide TaC coating mao ang pagsulbad sa problema sa ngilit ug pagpauswag sa kalidad sa pagtubo sa kristal, ug ang Semicera nakahimo og bag-ong solusyon sa teknolohiya sa tantalum carbide coating (CVD), nga nakaabot sa internasyonal nga abanteng lebel.

 

Uban sa pag-abot sa 8-pulgada nga silicon carbide (SiC) wafers, ang mga kinahanglanon alang sa lainlaing mga proseso sa semiconductor nahimong labi ka estrikto, labi na alang sa mga proseso sa epitaxy diin ang temperatura mahimong molapas sa 2000 degrees Celsius. Ang tradisyonal nga mga materyales sa susceptor, sama sa graphite nga giputos sa silicon carbide, lagmit nga mag-sublimate niining taas nga temperatura, nga makabalda sa proseso sa epitaxy. Bisan pa, ang CVD tantalum carbide (TaC) epektibo nga nagsulbad niini nga isyu, nga makasugakod sa temperatura hangtod sa 2300 degrees Celsius ug nagtanyag usa ka mas taas nga kinabuhi sa serbisyo. Kontaka ang Semicera's Mga Custom Parts sa Tantalum Carbide TaC CVD Coatingaron mas masusi ang among mga abanteng solusyon.

Human sa mga katuigan sa pag-uswag, nalupig sa Semicera ang teknolohiya saCVD TaCuban sa hiniusang paningkamot sa departamento sa R&D. Dali ra mahitabo ang mga depekto sa proseso sa pagtubo sa mga SiC wafer, apan human sa paggamitTaC, dako ang kalainan. Sa ubos mao ang pagtandi sa mga wafer nga adunay ug walay TaC, ingon man ang mga parte sa Simicera' para sa single crystal growth.

微信图片_20240227150045

uban ug walay TaC

微信图片_20240227150053

Human sa paggamit sa TaC (tuo)

Dugang pa, ang Semicera'sMga produkto nga giputos sa TaCmas taas ang kinabuhi sa serbisyo ug mas taas ang resistensya sa taas nga temperatura kon itandi saMga coatings nga SiC.Ang mga sukod sa laboratoryo nagpakita nga ang amongMga patong sa TaCmakanunayong mogana sa temperatura nga hangtod sa 2300 degrees Celsius sa dugay nga panahon. Ania ang pipila ka mga ehemplo sa among mga sample:

 
0(1)
Trabahoan sa Semicera
Trabahoan sa Semicera 2
Makina sa kagamitan
Balay sa Bodega sa Semicera
Pagproseso sa CNN, pagpanglimpyo sa kemikal, pag-coat sa CVD
Ang among serbisyo

  • Miagi:
  • Sunod: