Silicon carbide (SiC) single nga kristal nga materyal nga adunay usa ka dako nga band gintang gilapdon (~ Si 3 ka beses), taas nga thermal conductivity (~ Si 3.3 ka beses o GaAs 10 ka beses), taas nga electron saturation migration rate (~ Si 2.5 ka beses), taas nga breakdown electric field (~ Si 10 ka beses o GaAs 5 ka beses) ug uban pang talagsaong mga kinaiya.
Ang ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales nag-una naglakip sa SiC, GaN, diamante, ug uban pa, tungod kay ang gilapdon sa band gap niini (Eg) mas dako o katumbas sa 2.3 electron volts (eV), nailhan usab nga lapad nga band gap semiconductor nga mga materyales. Kung itandi sa una ug ikaduha nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales, ang ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales adunay mga bentaha sa taas nga thermal conductivity, taas nga pagkaguba sa electric field, taas nga saturated electron migration rate ug taas nga bonding energy, nga makatagbo sa bag-ong mga kinahanglanon sa modernong elektronikong teknolohiya alang sa taas. temperatura, taas nga gahum, taas nga presyur, taas nga frequency ug pagbatok sa radiation ug uban pang mapintas nga mga kahimtang. Kini adunay importante nga mga prospect sa aplikasyon sa natad sa nasudnong depensa, aviation, aerospace, eksplorasyon sa lana, optical storage, ug uban pa, ug makapakunhod sa pagkawala sa enerhiya sa labaw pa sa 50% sa daghang mga estratehikong industriya sama sa broadband communications, solar energy, automobile manufacturing, semiconductor nga suga, ug smart grid, ug makapakunhod sa gidaghanon sa mga ekipo nga labaw pa sa 75%, nga hinungdanon kaayo alang sa pagpalambo sa siyensya ug teknolohiya sa tawo.
Ang enerhiya sa Semicera makahatag sa mga kustomer og taas nga kalidad nga Conductive (Conductive), Semi-insulating (Semi-insulating), HPSI (High Purity semi-insulating) silicon carbide substrate; Dugang pa, makahatag kami sa mga kustomer og homogenous ug heterogeneous silicon carbide epitaxial sheets; Mahimo usab namo ipasibo ang epitaxial sheet sumala sa piho nga mga panginahanglan sa mga kustomer, ug walay minimum nga gidaghanon sa order.
MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Nag-beveling |
KATAPUSAN SA LUWAS
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-Insulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Paghuman sa nawong | Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP | ||||
Pagkabaga sa nawong | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Nawong Ra≤ 0.5nm | (5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm C-Nawong Ra≤0.5nm | |||
Edge Chips | Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walay Gitugotan | ||||
Mga garas(Si-Nawong) | Qty.≤5, Cumulative Length≤0.5×wafer diametro | Qty.≤5, Cumulative Length≤0.5×wafer diametro | Qty.≤5, Cumulative Length≤0.5×wafer diametro | ||
Mga liki | Walay Gitugotan | ||||
Eksklusyon sa Edge | 3mm |