Ang Silicon nitride ug silicon carbide lig-on kaayo nga mga compound sa covalent bond, adunay parehas nga pisikal ug kemikal nga mga kabtangan, silicon nitride nga gihiusa sa mga produkto nga silicon carbide nga adunay taas nga temperatura nga pagsukol, pagsukol sa kaagnasan, pagsukol sa pagsul-ob, pagsukol sa erosion, pagsukol sa oksihenasyon ug usa ka serye sa labing maayo nga mga kabtangan.Silicon nitride ug silicon carbide ingon nga high-grade refractory nga mga materyales sa lain-laing mga atmospera ang normal nga paggamit temperatura mahimong moabot 1500 ℃ o labaw pa, kaylap nga gigamit sa seramiko, non-ferrous metalurhiya, puthaw ug steel metalurhiya, powder metalurhiya, kemikal nga industriya ug uban pang mga industriya.
Silicon nitride inubanan sa silicon carbide nga materyal ug non-ferrous nga mga metal dili infiltrate, ug adunay maayo nga pagkabulag kabtangan, mao nga kini kaylap nga gigamit sa proseso sa produksyon sa non-ferrous metal sama sa aluminum, tumbaga ug zinc, ilabi na ang sulundon nga materyal alang sa produksyon sa electrolytic cell kilid kuta lining tisa.
| butang | Index sa firebrick | Espesipikasyon sa tapahan | Index sa porma nga produkto |
| Dayag nga porosity(%） | <16 | <16 | <14 |
| Bulk Densidad(g/cm3） | 2 2.65 | 2 2.65 | 2 2.68 |
| Compressive kusog sa lawak temperatura(MPa） | 2 160 | 2 170 | 2 180 |
| Ang kusog sa bending sa temperatura sa kwarto(1400X:） MPa | 2 40 | 2 45 | 2 45 |
| Taas nga temperatura bending kusog(1400r） MPa | 2 50 | 2 50 | 2 50 |
| Coefficient sa pagpalapad sa kainit(110CTC）xioVC | <4.18 | <4.18 | <4.18 |
| Thermal conductivity(1100C） | 216 | 2 16 | 216 |
| Mga refractory(°C ） | 1800 | 1800 | 1800 |
| 0.2 MPa Pagpahumok sa temperatura ubos sa load(X:） | 1600 | 1600 | > 1700 |
| Maximum nga operating temperatura(°C） | 1550 | 1550 | 1550 |
