Deskripsyon
Naghatag ang among kompanyaSiC coatingproseso sa mga serbisyo pinaagi sa CVD nga pamaagi sa ibabaw sa nawong sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, sa pagkaagi nga ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon reaksiyon sa taas nga temperatura sa pag-angkon sa hatag-as nga kaputli SiC molekula, molekula nga gideposito sa ibabaw sa nawong sa adunay sapaw nga mga materyales, pagporma sa usa kaSiC protective layer.
Panguna nga mga Feature
1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:
ang pagbatok sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 ℃.
2. Taas nga kaputli: gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.
3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.
4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.
Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristal nga Istruktura | FCC β nga hugna | |
| Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
| Katig-a | Vickers katig-a | 2500 |
| Gidak-on sa lugas | μm | 2~10 |
| Pagkaputli sa Kemikal | % | 99.99995 |
| Kapasidad sa Kainit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sa Sublimation | ℃ | 2700 |
| Felexural nga Kusog | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Modulus sa Batan-on | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermal conductivity | (W/mK) | 300 |
