Silicon carbide (SiC) single nga kristal nga materyal nga adunay usa ka dako nga band gintang gilapdon (~ Si 3 ka beses), taas nga thermal conductivity (~ Si 3.3 ka beses o GaAs 10 ka beses), taas nga electron saturation migration rate (~ Si 2.5 ka beses), taas nga breakdown electric field (~ Si 10 ka beses o GaAs 5 ka beses) ug uban pang talagsaong mga kinaiya.
Ang ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales nag-una naglakip sa SiC, GaN, diamante, ug uban pa, tungod kay ang gilapdon sa band gap niini (Eg) mas dako o katumbas sa 2.3 electron volts (eV), nailhan usab nga lapad nga band gap semiconductor nga mga materyales. Kung itandi sa una ug ikaduha nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales, ang ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales adunay mga bentaha sa taas nga thermal conductivity, taas nga pagkaguba sa electric field, taas nga saturated electron migration rate ug taas nga bonding energy, nga makatagbo sa bag-ong mga kinahanglanon sa modernong elektronikong teknolohiya alang sa taas. temperatura, taas nga gahum, taas nga presyur, taas nga frequency ug pagbatok sa radiation ug uban pang mapintas nga mga kahimtang. Kini adunay importante nga mga prospect sa aplikasyon sa natad sa nasudnong depensa, aviation, aerospace, eksplorasyon sa lana, optical storage, ug uban pa, ug makapakunhod sa pagkawala sa enerhiya sa labaw pa sa 50% sa daghang mga estratehikong industriya sama sa broadband communications, solar energy, automobile manufacturing, semiconductor nga suga, ug smart grid, ug makapakunhod sa gidaghanon sa mga ekipo nga labaw pa sa 75%, nga hinungdanon kaayo alang sa pagpalambo sa siyensya ug teknolohiya sa tawo.
Ang enerhiya sa Semicera makahatag sa mga kustomer og taas nga kalidad nga Conductive (Conductive), Semi-insulating (Semi-insulating), HPSI (High Purity semi-insulating) silicon carbide substrate; Dugang pa, makahatag kami sa mga kustomer og homogenous ug heterogeneous silicon carbide epitaxial sheets; Mahimo usab namo ipasibo ang epitaxial sheet sumala sa piho nga mga panginahanglan sa mga kustomer, ug walay minimum nga gidaghanon sa order.
Mga butang | Produksyon | Pagpanukiduki | Dummy |
Mga Parametro sa Kristal | |||
Polytype | 4H | ||
Sayop sa orientasyon sa nawong | <11-20 >4±0.15° | ||
Mga Parameter sa Elektrisidad | |||
Dopant | n-type nga Nitrogen | ||
Pagkasukol | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Mga Parametro sa Mekanikal | |||
Diametro | 150.0±0.2mm | ||
Gibag-on | 350±25 μm | ||
Panguna nga patag nga orientasyon | [1-100]±5° | ||
Panguna nga patag nga gitas-on | 47.5±1.5mm | ||
Ikaduha nga patag | Wala | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Pana | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Sa atubangan(Si-nawong) kabangis (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Istruktura | |||
Densidad sa micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Mga hugaw sa metal | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kalidad sa atubangan | |||
atubangan | Si | ||
Paghuman sa nawong | Si-nawong CMP | ||
Mga partikulo | ≤60ea/wafer (gidak-on≥0.3μm) | NA | |
Mga garas | ≤5ea/mm. Cumulative nga gitas-on ≤Diameter | Cumulative length≤2*Diametro | NA |
Ang panit sa kahel/mga gahong/mga mantsa/striations/mga liki/kontaminasyon | Wala | NA | |
Edge chips/indents/fracture/hex plates | Wala | ||
Polytype nga mga lugar | Wala | Cumulative area≤20% | Cumulative area≤30% |
Pagmarka sa atubangan sa laser | Wala | ||
Balik nga Kalidad | |||
Balik nga pagkahuman | C-nawong CMP | ||
Mga garas | ≤5ea/mm, Cumulative length≤2*Diameter | NA | |
Mga depekto sa likod (mga edge chips/indents) | Wala | ||
Pagkagahi sa likod | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Pagmarka sa likod sa laser | 1 mm (gikan sa ibabaw nga ngilit) | ||
Edge | |||
Edge | Chamfer | ||
Pagputos | |||
Pagputos | Epi-andam nga adunay vacuum packaging Multi-wafer cassette packaging | ||
*Notes: Ang "NA" nagpasabot nga walay hangyo Ang mga butang nga wala hisgoti mahimong magtumong sa SEMI-STD. |