6 pulgada nga N-type nga SiC Substrate

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Semicera nagtanyag ug halapad nga 4H-8H SiC wafers. Sulod sa daghang mga tuig, kami usa ka tiggama ug supplier sa mga produkto sa semiconductor ug photovoltaic nga mga industriya. Ang among mga nag-unang produkto naglakip sa: Silicon carbide etch plates, silicon carbide boat trailers, silicon carbide wafer boats (PV & Semiconductor), silicon carbide furnace tubes, silicon carbide cantilever paddles, silicon carbide chucks, silicon carbide beams, ingon man ang CVD SiC coatings ug Mga coat nga TaC. Naglangkob sa kadaghanan sa mga merkado sa Europe ug Amerikano. Kami nagpaabut nga mahimong imong dugay nga kauban sa China.

 

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Silicon carbide (SiC) single nga kristal nga materyal nga adunay usa ka dako nga band gintang gilapdon (~ Si 3 ka beses), taas nga thermal conductivity (~ Si 3.3 ka beses o GaAs 10 ka beses), taas nga electron saturation migration rate (~ Si 2.5 ka beses), taas nga breakdown electric field (~ Si 10 ka beses o GaAs 5 ka beses) ug uban pang talagsaong mga kinaiya.

Ang ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales nag-una naglakip sa SiC, GaN, diamante, ug uban pa, tungod kay ang gilapdon sa band gap niini (Eg) mas dako o katumbas sa 2.3 electron volts (eV), nailhan usab nga lapad nga band gap semiconductor nga mga materyales. Kung itandi sa una ug ikaduha nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales, ang ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga mga materyales adunay mga bentaha sa taas nga thermal conductivity, taas nga pagkaguba sa electric field, taas nga saturated electron migration rate ug taas nga bonding energy, nga makatagbo sa bag-ong mga kinahanglanon sa modernong elektronikong teknolohiya alang sa taas. temperatura, taas nga gahum, taas nga presyur, taas nga frequency ug pagbatok sa radiation ug uban pang mapintas nga mga kahimtang. Kini adunay importante nga mga prospect sa aplikasyon sa natad sa nasudnong depensa, aviation, aerospace, eksplorasyon sa lana, optical storage, ug uban pa, ug makapakunhod sa pagkawala sa enerhiya sa labaw pa sa 50% sa daghang mga estratehikong industriya sama sa broadband communications, solar energy, automobile manufacturing, semiconductor nga suga, ug smart grid, ug makapakunhod sa gidaghanon sa mga ekipo nga labaw pa sa 75%, nga hinungdanon kaayo alang sa pagpalambo sa siyensya ug teknolohiya sa tawo.

Ang enerhiya sa Semicera makahatag sa mga kustomer og taas nga kalidad nga Conductive (Conductive), Semi-insulating (Semi-insulating), HPSI (High Purity semi-insulating) silicon carbide substrate; Dugang pa, makahatag kami sa mga kustomer og homogenous ug heterogeneous silicon carbide epitaxial sheets; Mahimo usab namo ipasibo ang epitaxial sheet sumala sa piho nga mga panginahanglan sa mga kustomer, ug walay minimum nga gidaghanon sa order.

Mga butang

Produksyon

Pagpanukiduki

Dummy

Mga Parametro sa Kristal

Polytype

4H

Sayop sa orientasyon sa nawong

<11-20 >4±0.15°

Mga Parameter sa Elektrisidad

Dopant

n-type nga Nitrogen

Pagkasukol

0.015-0.025ohm·cm

Mga Parametro sa Mekanikal

Diametro

150.0±0.2mm

Gibag-on

350±25 μm

Panguna nga patag nga orientasyon

[1-100]±5°

Panguna nga patag nga gitas-on

47.5±1.5mm

Ikaduha nga patag

Wala

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Pana

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Sa atubangan(Si-nawong) kabangis (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Istruktura

Densidad sa micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Mga hugaw sa metal

≤5E10atoms/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kalidad sa atubangan

atubangan

Si

Paghuman sa nawong

Si-nawong CMP

Mga partikulo

≤60ea/wafer (gidak-on≥0.3μm)

NA

Mga garas

≤5ea/mm. Cumulative nga gitas-on ≤Diameter

Cumulative length≤2*Diametro

NA

Ang panit sa kahel/mga gahong/mga mantsa/striations/mga liki/kontaminasyon

Wala

NA

Edge chips/indents/fracture/hex plates

Wala

Polytype nga mga lugar

Wala

Cumulative area≤20%

Cumulative area≤30%

Pagmarka sa atubangan sa laser

Wala

Balik nga Kalidad

Balik nga pagkahuman

C-nawong CMP

Mga garas

≤5ea/mm, Cumulative length≤2*Diameter

NA

Mga depekto sa likod (mga edge chips/indents)

Wala

Pagkagahi sa likod

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Pagmarka sa likod sa laser

1 mm (gikan sa ibabaw nga ngilit)

Edge

Edge

Chamfer

Pagputos

Pagputos

Epi-andam nga adunay vacuum packaging

Multi-wafer cassette packaging

*Notes: Ang "NA" nagpasabot nga walay hangyo Ang mga butang nga wala hisgoti mahimong magtumong sa SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

Lugar sa trabaho sa Semicera Semicera nga trabahoan 2 Makina sa kagamitan Pagproseso sa CNN, paglimpyo sa kemikal, coating sa CVD Ang among serbisyo


  • Kaniadto:
  • Sunod: