PagtutokCVD SiC Ringusa ka silicon carbide (SiC) nga materyal nga singsing nga giandam sa Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) nga teknolohiya.
PagtutokCVD SiC Ringadunay daghang maayo kaayo nga mga kinaiya sa pasundayag. Una, kini adunay taas nga katig-a, taas nga punto sa pagkatunaw ug maayo kaayo nga taas nga temperatura nga pagsukol, ug makapadayon sa kalig-on ug integridad sa istruktura sa ilawom sa grabe nga mga kondisyon sa temperatura. Ikaduha, FocusCVD SiC Ringadunay maayo kaayo nga kalig-on sa kemikal ug resistensya sa kaagnasan, ug adunay taas nga pagsukol sa corrosive media sama sa mga asido ug alkali. Dugang pa, kini usab adunay maayo kaayo nga thermal conductivity ug mekanikal nga kusog, nga angay alang sa mga kinahanglanon sa aplikasyon sa taas nga temperatura, taas nga presyur ug makadaot nga mga palibot.
PagtutokCVD SiC Ringkaylap nga gigamit sa daghang natad. Kanunay kini nga gigamit alang sa thermal isolation ug proteksyon nga mga materyales sa taas nga temperatura nga kagamitan, sama sa taas nga temperatura nga mga hurno, vacuum device ug mga kemikal nga reaktor. Dugang pa, FocusCVD SiC Ringmahimo usab nga gamiton sa optoelectronics, semiconductor manufacturing, tukma nga makinarya ug aerospace, nga naghatag og high-performance environmental tolerance ug kasaligan.
✓Taas nga kalidad sa merkado sa China
✓Maayong serbisyo kanunay para nimo, 7*24 oras
✓ Mubo nga petsa sa pagpadala
✓ Gamay nga MOQ gidawat ug gidawat
✓ Mga serbisyo sa kostumbre
Epitaxy Growth Susceptor
Ang mga wafer sa silicone/silicon carbide kinahanglan nga moagi sa daghang mga proseso aron magamit sa mga elektronik nga aparato. Usa ka importante nga proseso mao ang silicon/sic epitaxy, diin ang silicon/sic wafers gidala sa graphite base. Espesyal nga mga bentaha sa Semicera's silicon carbide-coated graphite base naglakip sa hilabihan ka taas nga kaputli, uniporme nga coating, ug hilabihan ka taas nga serbisyo sa kinabuhi. Adunay usab sila taas nga resistensya sa kemikal ug kalig-on sa kainit.
Paggama sa LED Chip
Atol sa halapad nga coating sa MOCVD reactor, ang planetary base o carrier nagpalihok sa substrate wafer. Ang paghimo sa base nga materyal adunay dako nga impluwensya sa kalidad sa coating, nga sa baylo makaapekto sa scrap rate sa chip. Ang silicon carbide-coated base sa Semicera nagdugang sa kahusayan sa paghimo sa taas nga kalidad nga LED wafers ug gipamubu ang wavelength deviation. Naghatag usab kami og dugang nga mga sangkap sa graphite alang sa tanan nga mga reaktor sa MOCVD nga gigamit karon. Mahimo namon nga saputan ang hapit bisan unsang sangkap nga adunay usa ka silicon carbide coating, bisan kung ang diametro sa sangkap hangtod sa 1.5M, mahimo gihapon namon nga magsul-ob sa silicon carbide.
Semiconductor Field, Proseso sa Oxidation Diffusion, Ug uban pa.
Sa proseso sa semiconductor, ang proseso sa pagpalapad sa oksihenasyon nanginahanglan taas nga kaputli sa produkto, ug sa Semicera nagtanyag kami mga kostumbre ug CVD coating nga serbisyo alang sa kadaghanan sa mga bahin sa silicon carbide.
Ang mosunod nga hulagway nagpakita sa rough-processed nga silicon carbide slurry sa Semicea ug ang silicon carbide furnace tube nga gilimpyohan sa 1000- lebelwalay aboglawak. Ang among mga trabahante nagtrabaho sa wala pa mag-coat. Ang kaputli sa among silicon carbide mahimong moabot sa 99.99%, ug ang kaputli sa sic coating mas dako pa kay sa 99.99995%.
Hilaw nga Silicon Carbide Paddle ug SiC Process Tube sa Cleaing
Silicon Carbide Wafer Boat CVD SiC Coated
