Naghatag ang Semicera og espesyal nga tantalum carbide (TaC) coatings alang sa lainlaing mga sangkap ug mga carrier.Ang Semicera nga nanguna nga proseso sa coating makahimo sa tantalum carbide (TaC) coatings nga makab-ot ang taas nga kaputli, taas nga temperatura nga kalig-on ug taas nga pagtugot sa kemikal, pagpaayo sa kalidad sa produkto sa SIC / GAN nga mga kristal ug EPI layers (Graphite coated TaC susceptor), ug pagpalugway sa kinabuhi sa mga importanteng sangkap sa reaktor. Ang paggamit sa tantalum carbide TaC coating mao ang pagsulbad sa problema sa ngilit ug pagpalambo sa kalidad sa pagtubo sa kristal, ug ang Semicera Semicera adunay breakthrough nga nasulbad ang tantalum carbide coating technology (CVD), nga nakaabot sa internasyonal nga advanced level.
Human sa mga tuig sa kalamboan, Semicera mibuntog sa teknolohiya saCVD TaCuban ang hiniusang paningkamot sa departamento sa R&D. Ang mga depekto dali nga mahitabo sa proseso sa pagtubo sa mga wafer sa SiC, apan pagkahuman gigamitTaC, ang kalainan mahinungdanon. Sa ubos usa ka pagtandi sa mga wafer nga adunay ug wala ang TaC, ingon man ang mga bahin sa Simicera alang sa usa ka pagtubo sa kristal
adunay ug walay TaC
Human gamiton ang TaC (tuo)
Dugang pa, ang kinabuhi sa serbisyo sa Semicera's TaC coating nga mga produkto mas taas ug mas makasugakod sa taas nga temperatura kaysa sa SiC coating. Pagkahuman sa taas nga panahon sa datos sa pagsukod sa laboratoryo, ang among TaC mahimong molihok sa dugay nga panahon sa labing taas nga 2300 degree Celsius. Ang mosunod mao ang pipila sa atong mga sample:
(a) Schematic diagram sa SiC single crystal ingot growing device pinaagi sa PVT method (b) Top TaC coated seed bracket (lakip ang SiC seed) (c) TAC-coated graphite guide ring
