-
Unsa ang Tantalum Carbide?
Ang Tantalum carbide (TaC) usa ka binary compound sa tantalum ug carbon nga adunay kemikal nga pormula nga TaC x, diin ang x kasagarang magkalahi tali sa 0.4 ug 1. Kini hilabihan ka gahi, brittle, refractory nga ceramic nga mga materyales nga adunay metallic conductivity. Kini mga brown-grey nga pulbos ug kami...Basaha ang dugang pa -
unsa ang tantalum carbide
Ang Tantalum carbide (TaC) usa ka ultra-high temperature ceramic nga materyal nga adunay taas nga temperatura nga pagsukol, taas nga densidad, taas nga compactness; taas nga kaputli, kahugawan nga sulod <5PPM; ug chemical inertness sa ammonia ug hydrogen sa taas nga temperatura, ug maayo nga thermal stability. Ang gitawag nga ultra-high ...Basaha ang dugang pa -
Unsa ang epitaxy?
Kadaghanan sa mga inhenyero dili pamilyar sa epitaxy, nga adunay hinungdanon nga papel sa paghimo sa aparato nga semiconductor. Ang epitaxy mahimong magamit sa lain-laing mga produkto sa chip, ug lain-laing mga produkto adunay lain-laing mga matang sa epitaxy, lakip na ang Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, ug uban pa Unsa ang epitaxy? Epitaxy mao ang...Basaha ang dugang pa -
Unsa ang hinungdanon nga mga parameter sa SiC?
Ang Silicon carbide (SiC) usa ka hinungdanon nga lapad nga bandgap semiconductor nga materyal nga kaylap nga gigamit sa high-power ug high-frequency nga elektronik nga aparato. Ang mosunod mao ang pipila ka importante nga mga parameter sa silicon carbide wafers ug ang ilang detalyado nga mga pagpatin-aw: Lattice Parameters: Siguruha nga ang ...Basaha ang dugang pa -
Ngano nga ang usa ka kristal nga silicon kinahanglan nga palig-onon?
Ang rolling nagtumong sa proseso sa paggaling sa gawas nga diyametro sa usa ka silicon single crystal rod ngadto sa usa ka kristal nga rod sa gikinahanglan nga diametro gamit ang diamond grinding wheel, ug paggaling sa usa ka flat edge reference surface o positioning groove sa single crystal rod. Ang gawas nga diametro sa ibabaw...Basaha ang dugang pa -
Mga Proseso sa Paggama ug Taas nga Kalidad nga SiC Powder
Ang Silicon carbide (SiC) usa ka dili organikong compound nga nailhan tungod sa talagsaon nga mga kabtangan niini. Ang natural nga nahitabo nga SiC, nailhan nga moissanite, talagsa ra. Sa mga aplikasyon sa industriya, ang silicon carbide kasagarang gihimo pinaagi sa sintetikong mga pamaagi. Sa Semicera Semiconductor, among gigamit ang advanced techniq...Basaha ang dugang pa -
Pagkontrol sa pagkaparehas sa radial resistivity sa panahon sa pagbira sa kristal
Ang mga nag-unang rason nga naka-apekto sa pagkaparehas sa radial resistivity sa single nga mga kristal mao ang flatness sa solid-liquid interface ug ang gamay nga eroplano nga epekto sa panahon sa kristal nga pagtubo Ang impluwensya sa flatness sa solid-liquid interface Atol sa kristal nga pagtubo, kung ang matunaw gipalihok parehas. , ang...Basaha ang dugang pa -
Ngano nga ang magnetic field nga single crystal furnace makapauswag sa kalidad sa single crystal
Tungod kay ang crucible gigamit ingon nga sudlanan ug adunay convection sa sulod, ingon nga ang gidak-on sa namugna nga single kristal pagtaas, kainit convection ug temperatura gradient pagkaparehas mahimong mas lisud nga kontrolon. Pinaagi sa pagdugang sa magnetic field aron mahimo ang conductive melt act sa Lorentz force, ang convection mahimong...Basaha ang dugang pa -
Kusog nga pagtubo sa SiC single crystals gamit ang CVD-SiC bulk source pinaagi sa sublimation method
Paspas nga Pag-uswag sa SiC Single Crystal Gamit ang CVD-SiC Bulk Source pinaagi sa Sublimation Method Pinaagi sa paggamit sa recycled CVD-SiC blocks isip SiC source, ang SiC crystals malampuson nga mitubo sa rate nga 1.46 mm/h pinaagi sa PVT method. Ang mitubo nga kristal nga micropipe ug dislokasyon densidad nagpakita nga de...Basaha ang dugang pa -
Na-optimize ug Gihubad nga Kontento sa Silicon Carbide Epitaxial Growth Equipment
Ang mga substrate sa Silicon carbide (SiC) adunay daghang mga depekto nga makapugong sa direkta nga pagproseso. Aron makahimo og mga chip wafers, usa ka piho nga single-crystal film ang kinahanglan nga motubo sa SiC substrate pinaagi sa proseso sa epitaxial. Kini nga pelikula nailhan nga epitaxial layer. Hapit tanan nga mga aparato sa SiC naamgohan sa epitaxial ...Basaha ang dugang pa -
Ang Krusyal nga Papel ug Mga Kaso sa Paggamit sa SiC-Coated Graphite Susceptors sa Semiconductor Manufacturing
Ang Semicera Semiconductor nagplano nga madugangan ang produksiyon sa mga kinauyokan nga sangkap alang sa kagamitan sa paghimo sa semiconductor sa tibuuk kalibutan. Sa 2027, kita nagtinguha sa pagtukod sa usa ka bag-o nga 20,000 square meter pabrika uban sa usa ka kinatibuk-ang investment sa 70 milyon USD. Usa sa among kinauyokan nga sangkap, ang silicon carbide (SiC) wafer carr...Basaha ang dugang pa -
Ngano nga kinahanglan naton buhaton ang epitaxy sa mga substrate nga wafer sa silicon?
Sa kadena sa industriya sa semiconductor, labi na sa ikatulo nga henerasyon nga semiconductor (lapad nga bandgap semiconductor) nga kadena sa industriya, adunay mga substrate ug epitaxial layer. Unsa ang kamahinungdanon sa epitaxial layer? Unsa ang kalainan tali sa substrate ug substrate? Ang substr...Basaha ang dugang pa