-
Proseso sa Paggama sa Semiconductor - Teknolohiya sa Etch
Gatusan ka mga proseso ang gikinahanglan aron ang usa ka wafer mahimong semiconductor. Usa sa labing hinungdanon nga proseso mao ang pag-ukit - nga mao, pagkulit sa maayong mga pattern sa sirkito sa wafer. Ang kalampusan sa proseso sa pag-ukit nagdepende sa pagdumala sa lainlaing mga variable sa sulod sa usa ka gitakda nga hanay sa pag-apod-apod, ug ang matag pag-ukit...Basaha ang dugang pa -
Maayo nga Materyal alang sa Focus Rings sa Plasma Etching Equipment: Silicon Carbide (SiC)
Sa mga kagamitan sa pag-ukit sa plasma, ang mga sangkap sa seramik adunay hinungdanon nga papel, lakip ang singsing sa pokus. Ang pokus nga singsing, nga gibutang sa palibot sa ostiya ug sa direkta nga pagkontak niini, hinungdanon alang sa pagpunting sa plasma sa ostiya pinaagi sa pagbutang sa boltahe sa singsing. Kini nagpalambo sa un...Basaha ang dugang pa -
Epekto sa silicon carbide single crystal processing sa wafer surface nga kalidad
Ang mga aparato sa gahum sa semiconductor nag-okupar sa usa ka punoan nga posisyon sa mga sistema sa elektroniko sa kuryente, labi na sa konteksto sa paspas nga pag-uswag sa mga teknolohiya sama sa artipisyal nga paniktik, komunikasyon sa 5G ug bag-ong mga salakyanan sa enerhiya, ang mga kinahanglanon sa pasundayag alang kanila ...Basaha ang dugang pa -
Key core nga materyal alang sa pagtubo sa SiC: Tantalum carbide coating
Sa pagkakaron, ang ikatulo nga henerasyon sa semiconductors gidominar sa silicon carbide. Sa istruktura sa gasto sa mga aparato niini, ang substrate nagkantidad sa 47%, ug ang epitaxy nagkantidad sa 23%. Ang duha nga magkauban nag-asoy sa mga 70%, nga mao ang labing hinungdanon nga bahin sa paghimo sa aparato nga silicon carbide ...Basaha ang dugang pa -
Giunsa nga ang mga produkto nga adunay sapaw sa tantalum carbide makapauswag sa resistensya sa kaagnasan sa mga materyales?
Ang Tantalum carbide coating usa ka sagad nga gigamit nga teknolohiya sa pagtambal sa nawong nga mahimo’g mapauswag ang resistensya sa corrosion sa mga materyales. Ang tantalum carbide coating mahimong ilakip sa nawong sa substrate pinaagi sa lainlaing mga pamaagi sa pag-andam, sama sa kemikal nga alisngaw nga deposition, physica ...Basaha ang dugang pa -
Kagahapon, ang Science and Technology Innovation Board nag-isyu og pahibalo nga ang Huazhuo Precision Technology mitapos sa IPO niini!
Bag-o lang gipahibalo ang paghatod sa unang 8-pulgada nga SIC laser annealing equipment sa China, nga mao usab ang teknolohiya ni Tsinghua; Ngano nga sila mismo ang nag-withdraw sa mga materyales? Pipila lang ka mga pulong: Una, ang mga produkto lainlain kaayo! Sa unang tan-aw, wa ko kahibaw unsay ilang gibuhat. Sa pagkakaron, si H...Basaha ang dugang pa -
CVD silicon carbide coating-2
CVD silicon carbide coating 1. Ngano nga adunay usa ka silicon carbide coating Ang epitaxial layer usa ka piho nga usa ka kristal nga manipis nga pelikula nga gipatubo base sa wafer pinaagi sa proseso sa epitaxial. Ang substrate wafer ug ang epitaxial thin film gitawag nga epitaxial wafers. Lakip kanila, ang...Basaha ang dugang pa -
Proseso sa pag-andam sa SIC coating
Sa pagkakaron, ang mga pamaagi sa pag-andam sa SiC coating nag-una naglakip sa gel-sol method, embedding method, brush coating method, plasma spraying method, chemical vapor reaction method (CVR) ug chemical vapor deposition method (CVD). Pamaagi sa pag-embedKini nga pamaagi usa ka matang sa taas nga temperatura nga solid-phase ...Basaha ang dugang pa -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Unsa ang CVD SiC Chemical vapor deposition (CVD) kay usa ka vacuum deposition nga proseso nga gigamit para makagama ug high-purity solid materials. Kini nga proseso sagad gigamit sa natad sa paghimo sa semiconductor aron maporma ang nipis nga mga pelikula sa nawong sa mga manipis. Sa proseso sa pag-andam sa SiC pinaagi sa CVD, ang substrate kay...Basaha ang dugang pa -
Pag-analisar sa istruktura sa dislokasyon sa SiC nga kristal pinaagi sa ray tracing simulation nga gitabangan sa X-ray topological imaging
Background sa panukiduki Ang importansya sa paggamit sa silicon carbide (SiC): Isip usa ka lapad nga bandgap nga semiconductor nga materyal, ang silicon carbide nakadani ug daghang atensyon tungod sa maayo kaayo nga elektrikal nga mga kabtangan niini (sama sa mas dako nga bandgap, mas taas nga electron saturation velocity ug thermal conductivity). Kini nga mga prop ...Basaha ang dugang pa -
Proseso sa pag-andam sa seed crystal sa SiC single crystal growth 3
Pagpamatuod sa PagtuboAng silicon carbide (SiC) nga mga kristal sa binhi giandam subay sa gilatid nga proseso ug gi-validate pinaagi sa pagtubo sa kristal nga SiC. Ang plataporma sa pagtubo nga gigamit mao ang usa ka self-developed SiC induction growth furnace nga adunay temperatura sa pagtubo nga 2200 ℃, usa ka pressure sa pagtubo nga 200 Pa, ug usa ka pagtubo ...Basaha ang dugang pa -
Proseso sa Pagpangandam sa Binhi nga Kristal sa SiC Usa ka Pagtubo sa Kristal (Bahin 2)
2. Eksperimental nga Proseso 2.1 Pag-ayo sa Adhesive FilmNaobserbaran nga ang direktang paghimo og carbon film o bonding gamit ang graphite nga papel sa SiC wafers nga gisapawan og adhesive misangpot sa daghang mga isyu: 1. Ubos sa vacuum nga kondisyon, ang adhesive film sa SiC wafers nakamugna og timbangan nga hitsura tungod sa sa pagpirma...Basaha ang dugang pa