CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Kinatibuk-an:CVDbulk silicon carbide (SiC)mao ang usa ka kaayo nga gipangita nga materyal sa plasma etching equipment, paspas nga thermal processing (RTP) nga mga aplikasyon, ug uban pang mga semiconductor manufacturing nga mga proseso. Ang talagsaon nga mekanikal, kemikal, ug thermal nga mga kabtangan naghimo niini nga usa ka sulundon nga materyal alang sa mga advanced nga aplikasyon sa teknolohiya nga nanginahanglan taas nga katukma ug kalig-on.
Mga aplikasyon sa CVD Bulk SiC:Ang Bulk SiC hinungdanon sa industriya sa semiconductor, labi na sa mga sistema sa pag-ukit sa plasma, diin ang mga sangkap sama sa mga singsing sa pokus, mga showerhead sa gas, mga singsing sa ngilit, ug mga plato nakabenepisyo gikan sa talagsaong resistensya sa corrosion ug thermal conductivity sa SiC. Ang paggamit niini mikabat saRTPmga sistema tungod sa katakus sa SiC nga makasugakod sa paspas nga pagbag-o sa temperatura nga wala’y hinungdan nga pagkadaot.
Dugang sa etching equipment, CVDdaghan SiCgipaboran sa mga diffusion furnaces ug mga proseso sa pagtubo sa kristal, diin gikinahanglan ang taas nga kalig-on sa kainit ug pagbatok sa mapintas nga kemikal nga mga palibot. Kini nga mga kinaiya naghimo sa SiC nga materyal nga gipili alang sa taas nga panginahanglan nga mga aplikasyon nga naglambigit sa taas nga temperatura ug makadaot nga mga gas, sama sa adunay sulud nga klorin ug fluorine.
Mga bentaha sa CVD Bulk SiC Components:
•Taas nga Densidad:Sa densidad nga 3.2 g/cm³,CVD bulk SiCAng mga sangkap dili kaayo makasugakod sa pagsul-ob ug mekanikal nga epekto.
•Superior nga Thermal Conductivity:Nagtanyag sa thermal conductivity nga 300 W/m·K, ang bulk SiC episyente nga nagdumala sa kainit, nga naghimo niini nga sulundon alang sa mga sangkap nga naladlad sa grabe nga mga siklo sa thermal.
•Talagsaon nga Pagsukol sa Kemikal:Ang ubos nga reaktibidad sa SiC nga adunay mga etching gas, lakip ang chlorine ug fluorine-based nga mga kemikal, nagsiguro sa taas nga kinabuhi sa component.
•Adjustable Resistivity: CVD bulk SiC'sang resistivity mahimong ipasibo sa sulod sa range nga 10⁻²–10⁴ Ω-cm, nga makapahaom niini sa piho nga etching ug semiconductor manufacturing nga mga panginahanglan.
•Thermal Expansion Coefficient:Uban sa usa ka thermal expansion coefficient nga 4.8 x 10⁻⁶/°C (25-1000°C), CVD bulk SiC mosukol sa thermal shock, pagmintinar sa dimensional nga kalig-on bisan sa panahon sa paspas nga pagpainit ug pagpabugnaw nga mga siklo.
•Kalig-on sa Plasma:Ang pagkaladlad sa plasma ug mga reaktibo nga gas dili kalikayan sa mga proseso sa semiconductor, apanCVD bulk SiCnagtanyag labaw nga pagbatok sa corrosion ug degradation, pagkunhod sa kapuli frequency ug sa kinatibuk-ang maintenance gasto.
Teknikal nga Detalye:
•Diametro:Labaw sa 305 mm
•Resistivity:Ipasibo sulod sa 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densidad:3.2 g/cm³
•Thermal Conductivity:300 W/m·K
•Thermal Expansion Coefficient:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Pag-customize ug Flexibility:SaSemicera Semiconductor, nasabtan namo nga ang matag aplikasyon sa semiconductor mahimong magkinahanglan ug lain-laing mga detalye. Mao nga ang among CVD nga kadaghanan nga mga sangkap sa SiC hingpit nga napasadya, nga adunay adjustable nga resistivity ug gipahiangay nga mga sukat aron mahiangay sa imong mga kinahanglanon sa kagamitan. Kung imong gi-optimize ang imong plasma etching system o nangita alang sa lig-on nga mga sangkap sa RTP o mga proseso sa pagsabwag, ang among CVD nga kadaghanan nga SiC naghatud sa dili hitupngan nga pasundayag.
