Silicon Carbide Coated Barrel Susceptor alang sa Wafer Epitaxial

Silicon Carbide Coated Barrel Susceptor para sa Wafer Epitaxial Featured Image

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Semicera nagtanyag usa ka komprehensibo nga han-ay sa mga susceptor ug mga sangkap sa graphite nga gidisenyo alang sa lainlaing mga reaktor sa epitaxy.

Pinaagi sa estratehikong pakigtambayayong sa mga OEM nga nanguna sa industriya, kaylap nga kahanas sa materyales, ug mga advanced nga kapabilidad sa paggama, ang Semicera naghatod og mga gipahaum nga mga disenyo aron matubag ang piho nga mga kinahanglanon sa imong aplikasyon. Ang among pasalig sa excellence nagsiguro nga makadawat ka ug labing maayo nga mga solusyon alang sa imong mga kinahanglanon sa epitaxy reactor.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang among kompanya naghatagSiC coatingproseso sa mga serbisyo sa ibabaw sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales pinaagi sa CVD nga pamaagi, aron nga ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon mahimong reaksyon sa taas nga temperatura aron makakuha og taas nga kaputli nga Sic molekula, nga mahimong ibutang sa ibabaw sa mga materyal nga adunay sapaw aron maporma ang usa kaSiC protective layerpara sa epitaxy barrel type hy pnotic.

Panguna nga mga bahin:

1 .Taas nga kaputli SiC adunay sapaw graphite

2. Labaw nga kainit nga pagsukol & thermal uniformity

3. MaayoSiC nga kristal nga adunay sapawalang sa usa ka hapsay nga nawong

4. Taas nga kalig-on batok sa paglimpyo sa kemikal

SiC Coated Barrel Susceptor para sa Wafer Epitaxial

Panguna nga Detalye saCVD-SIC nga sapaw

SiC-CVD Properties
Kristal nga Istruktura	FCC β nga hugna
Densidad	g/cm ³	3.21
Katig-a	Vickers katig-a	2500
Gidak-on sa lugas	μm	2~10
Pagkaputli sa Kemikal	%	99.99995
Kapasidad sa Kainit	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimation	℃	2700
Felexural nga Kusog	MPa (RT 4-point)	415
Modulus sa Batan-on	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300