Silicon nitride bonded silicon carbide
Si3N4 bonded SiC ceramic refractory nga materyal, gisagol sa taas nga purong SIC fine powder ug Silicon powder, human sa slip casting course, reaksyon sintered ubos sa 1400 ~ 1500 °C. Atol sa sintering nga kurso, pagpuno sa taas nga lunsay nga Nitrogen ngadto sa hudno, unya ang silicon mo-react sa Nitrogen ug makamugna og Si3N4, Busa ang Si3N4 bonded SiC nga materyal gilangkuban sa silicon nitride (23%) ug silicon carbide (75%) isip nag-unang hilaw nga materyales ,gisagol sa organikong materyal, ug giporma pinaagi sa sagol, extrusion o pagbubo, unya gihimo human sa pagpauga ug nitrogenization.
Mga bahin ug bentaha:
1.High temperatura tolerance
2.Taas nga thermal conductivity ug shock resistance
3. Taas nga mekanikal nga kusog ug pagsukol sa abrasion
4.Excellent energy efficiency ug corrosion resistance
Naghatag kami og taas nga kalidad ug tukma nga makina nga NSiC ceramic nga mga sangkap nga giproseso pinaagi sa
1.Slip casting
2.Pagpagawas
3.Uni Axial Pressing
4.Isostatic Pressing
Materyal nga Datasheet
| > Kemikal nga Komposisyon | Si Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Libre Si | 0% | |
| Daghang Densidad (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Dayag nga porosity (%) | 12～15 | |
| Bend kusog sa 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Bend kusog sa 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Bend kusog sa 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Compressive kusog sa 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Thermal conductivity sa 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Thermal expansion coefficient sa1200 ℃(x 10-6/C) | 4.70 | |
| Ang resistensya sa thermal shock | Maayo kaayo | |
| Max. temperatura (℃) | 1600 | |
