Pasiuna sa CVD TaC Coating:
Ang CVD TaC Coating usa ka teknolohiya nga naggamit sa kemikal nga alisngaw nga pagdeposito sa tantalum carbide (TaC) coating sa ibabaw sa usa ka substrate. Ang Tantalum carbide usa ka high-performance nga seramik nga materyal nga adunay maayo kaayo nga mekanikal ug kemikal nga mga kabtangan. Ang proseso sa CVD makamugna og uniporme nga TaC film sa ibabaw sa substrate pinaagi sa gas reaction.
Pangunang mga bahin:
Maayo kaayo nga katig-a ug pagsukol sa pagsul-ob: Ang Tantalum carbide adunay hilabihan ka taas nga katig-a, ug ang CVD TaC Coating mahimong makapauswag sa pagsul-ob sa pagsukol sa substrate. Kini naghimo sa taklap nga sulundon alang sa mga aplikasyon sa mga high-wear nga mga palibot, sama sa pagputol sa mga himan ug mga agup-op.
Taas nga Kalig-on sa Temperatura: Ang TaC coatings nanalipod sa kritikal nga hudno ug mga sangkap sa reaktor sa temperatura hangtod sa 2200°C, nga nagpakita sa maayong kalig-on. Kini nagmintinar sa kemikal ug mekanikal nga kalig-on ubos sa grabeng mga kondisyon sa temperatura, nga naghimo niini nga angay alang sa taas nga temperatura nga pagproseso ug mga aplikasyon sa taas nga temperatura nga mga palibot.
Maayo kaayo nga kalig-on sa kemikal: Ang Tantalum carbide adunay lig-on nga pagsukol sa corrosion sa kadaghanan sa mga asido ug alkalis, ug ang CVD TaC Coating epektibo nga makapugong sa kadaot sa substrate sa mga corrosive nga palibot.
Taas nga punto sa pagkatunaw: Ang Tantalum carbide adunay taas nga punto sa pagkatunaw (gibana-bana nga 3880 ° C), nga nagtugot sa CVD TaC Coating nga gamiton sa grabe nga taas nga temperatura nga mga kondisyon nga dili matunaw o makadaut.
Maayo kaayo nga thermal conductivity: Ang TaC coating adunay taas nga thermal conductivity, nga makatabang sa epektibong pagwagtang sa kainit sa mga proseso sa taas nga temperatura ug mapugngan ang lokal nga overheating.
Potensyal nga mga aplikasyon:
• Gallium Nitride (GaN) ug Silicon Carbide epitaxial CVD reactor components lakip na ang wafer carriers, satellite dishes, showerheads, ceilings, ug susceptors
• Silicon carbide, gallium nitride ug aluminum nitride (AlN) crystal growth components lakip ang crucibles, seed holder, guide rings ug filters
• Mga sangkap sa industriya lakip ang mga elemento sa pagpainit sa resistensya, mga nozzle sa pag-injection, mga masking ring ug brazing jigs
Mga bahin sa aplikasyon:
• Ang temperatura nga lig-on sa ibabaw sa 2000 ° C, nga nagtugot sa operasyon sa grabeng temperatura
• Makasukol sa hydrogen (Hz), ammonia (NH3), monosilane (SiH4) ug silicon (Si), nga naghatag proteksyon sa mapintas nga kemikal nga mga palibot
• Ang thermal shock nga pagsukol niini makahimo sa mas paspas nga mga siklo sa pag-operate
• Ang graphite adunay lig-on nga adhesion, pagsiguro sa taas nga serbisyo sa kinabuhi ug walay coating delamination.
• Ultra-high kaputli sa pagwagtang sa wala kinahanglana nga mga hugaw o kontaminante
• Conformal coating coverage sa hugot nga dimensional tolerances
Teknikal nga mga detalye:
Pag-andam sa dasok nga tantalum carbide coatings pinaagi sa CVD:
TAC coating nga adunay taas nga crystallinity ug maayo kaayo nga pagkaparehas:
CVD TAC COATING Teknikal nga Parameter_Semicera:
Ang naa sa ibabaw kay kasagarang mga bili.
