Naghatag ang Semicera og espesyal nga tantalum carbide (TaC) coatings alang sa lainlaing mga sangkap ug mga carrier.Ang Semicera nga nanguna nga proseso sa coating makahimo sa tantalum carbide (TaC) coatings nga makab-ot ang taas nga kaputli, taas nga temperatura nga kalig-on ug taas nga pagtugot sa kemikal, pagpaayo sa kalidad sa produkto sa SIC / GAN nga mga kristal ug EPI layers (Graphite coated TaC susceptor), ug pagpalugway sa kinabuhi sa mga importanteng sangkap sa reaktor. Ang paggamit sa tantalum carbide TaC coating mao ang pagsulbad sa problema sa ngilit ug pagpalambo sa kalidad sa pagtubo sa kristal, ug ang Semicera adunay breakthrough nga nasulbad ang tantalum carbide coating technology (CVD), nga nakaabot sa internasyonal nga advanced level.
Sa pag-abut sa 8-pulgada nga silicon carbide (SiC) nga mga wafer, ang mga kinahanglanon alang sa lainlaing mga proseso sa semiconductor nahimong labi ka higpit, labi na sa mga proseso sa epitaxy diin ang temperatura mahimong molapas sa 2000 degree Celsius. Ang tradisyonal nga susceptor nga mga materyales, sama sa graphite nga adunay sapaw nga silicon carbide, lagmit nga mag-sublimate niining taas nga temperatura, nga makabalda sa proseso sa epitaxy. Bisan pa, ang CVD tantalum carbide (TaC) epektibo nga nagtubag sa kini nga isyu, nga makasugakod sa temperatura hangtod sa 2300 degree Celsius ug nagtanyag usa ka taas nga kinabuhi sa serbisyo. Kontaka si Semicera's Tantalum Carbid Coating Half-moonaron masusi ang dugang bahin sa among mga advanced nga solusyon.
Human sa mga tuig sa kalamboan, Semicera mibuntog sa teknolohiya saCVD TaCuban ang hiniusang paningkamot sa departamento sa R&D. Ang mga depekto dali nga mahitabo sa proseso sa pagtubo sa mga wafer sa SiC, apan pagkahuman gigamitTaC, ang kalainan mahinungdanon. Sa ubos usa ka pagtandi sa mga wafer nga adunay ug wala ang TaC, ingon man ang mga bahin sa Simicera alang sa usa ka pagtubo sa kristal.
adunay ug walay TaC
Human gamiton ang TaC (tuo)
Dugang pa, ang Semicera'sMga produkto nga adunay sapaw sa TaCnagpakita sa usa ka mas taas nga serbisyo sa kinabuhi ug mas taas nga temperatura nga pagsukol itandi saSiC coating.Ang mga pagsukod sa laboratoryo nagpakita nga ang amongMga coat nga TaCmahimong makanunayon nga pagbuhat sa temperatura hangtod sa 2300 degrees Celsius sa taas nga panahon. Sa ubos mao ang pipila ka mga pananglitan sa among mga sampol:
TaC coated susceptor
Graphite nga adunay TaC coated reactor
