China Wafer Manufacturers, Suppliers, Pabrika
Unsa ang semiconductor wafer?
Ang semiconductor wafer usa ka manipis, lingin nga hiwa sa semiconductor nga materyal nga nagsilbing pundasyon sa paggama sa integrated circuits (ICs) ug uban pang elektronik nga mga himan. Ang wafer naghatag og usa ka patag ug uniporme nga nawong diin ang nagkalain-laing elektronik nga mga sangkap gitukod.
Ang proseso sa paghimo og wafer naglakip sa pipila ka mga lakang, lakip ang pagpatubo sa usa ka dako nga kristal sa gusto nga semiconductor nga materyal, paghiwa sa kristal ngadto sa nipis nga mga wafer gamit ang diamond saw, ug dayon pagpasinaw ug paglimpyo sa mga wafer aron makuha ang bisan unsang depekto sa nawong o mga hugaw. Ang resulta nga mga wafer adunay usa ka patag ug hapsay nga nawong, nga hinungdanon alang sa sunod nga mga proseso sa paghimo.
Kung maandam na ang mga wafer, moagi sila sa usa ka serye sa mga proseso sa paghimo sa semiconductor, sama sa photolithography, etching, deposition, ug doping, aron mahimo ang makuti nga mga pattern ug mga layer nga gikinahanglan sa paghimo sa mga elektronik nga sangkap. Kini nga mga proseso gisubli daghang beses sa usa ka wafer aron makahimo daghang mga integrated circuit o uban pang mga aparato.
Human makompleto ang proseso sa paghimo, ang tagsa-tagsa nga mga chips gibulag pinaagi sa pag-dicing sa wafer subay sa predefined lines. Ang gibulag nga mga chips dayon giputos aron mapanalipdan sila ug maghatag mga koneksyon sa kuryente alang sa pag-integrate sa mga elektronik nga aparato.
Nagkalainlain nga mga materyales sa wafer
Ang mga wafer sa semiconductor panguna nga gihimo gikan sa usa ka kristal nga silicon tungod sa kadaghan niini, maayo kaayo nga mga kabtangan sa elektrisidad, ug pagkaangay sa mga sagad nga proseso sa paghimo sa semiconductor. Bisan pa, depende sa piho nga mga aplikasyon ug mga kinahanglanon, ang ubang mga materyales mahimo usab nga magamit sa paghimo og mga wafer. Ania ang pipila ka mga pananglitan:
Ang Silicon carbide (SiC) usa ka lapad nga bandgap nga semiconductor nga materyal nga nagtanyag labaw nga pisikal nga mga kabtangan kumpara sa tradisyonal nga mga materyales. Nakatabang kini nga makunhuran ang gidak-on ug gibug-aton sa mga discrete nga aparato, module, ug bisan ang tibuuk nga sistema, samtang gipauswag ang kahusayan.
Pangunang Kinaiya sa SiC:
- - Lapad nga Bandgap:Ang bandgap sa SiC mga tulo ka pilo sa silicon, nga nagtugot niini sa pag-operate sa mas taas nga temperatura, hangtod sa 400°C.
- -Taas nga Kritikal nga Pagkaguba nga Natad:Ang SiC makasugakod hangtod sa napulo ka pilo sa electric field sa silicon, nga naghimo niini nga sulundon alang sa high-voltage nga mga himan.
- - Taas nga Thermal Conductivity:Ang SiC episyente nga nagwagtang sa kainit, nagtabang sa mga himan sa pagpadayon sa labing maayo nga temperatura sa pag-operate ug pagpalugway sa ilang kinabuhi.
- -Taas nga Saturation Electron Drift Velocity:Uban sa doble ang drift velocity sa silicon, ang SiC makahimo sa mas taas nga switching frequency, nga nagtabang sa device miniaturization.
Aplikasyon:
-
-Power Electronics:Ang SiC power device milabaw sa high-voltage, high-current, high-temperature, ug high-frequency nga palibot, nga makapausbaw sa energy conversion efficiency. Kini kaylap nga gigamit sa mga de-koryenteng sakyanan, mga istasyon sa pag-charge, mga sistema sa photovoltaic, transportasyon sa riles, ug mga smart grid.
-
-Microwave Komunikasyon:Ang mga aparato nga GaN RF nga nakabase sa SiC hinungdanon alang sa imprastraktura sa wireless nga komunikasyon, labi na sa mga base station sa 5G. Kini nga mga himan naghiusa sa maayo kaayo nga thermal conductivity sa SiC uban sa GaN's high-frequency, high-power RF output, nga naghimo kanila nga gipili nga kapilian alang sa sunod nga henerasyon nga high-frequency telecom network.
Gallium nitride (GaN)usa ka ikatulo nga henerasyon nga lapad nga bandgap semiconductor nga materyal nga adunay dako nga bandgap, taas nga thermal conductivity, taas nga electron saturation drift velocity, ug maayo kaayo nga pagkaguba sa mga kinaiya sa uma. Ang GaN device adunay halapad nga prospect sa aplikasyon sa high-frequency, high-speed, ug high-power nga mga lugar sama sa LED energy-saving lighting, laser projection display, electric vehicles, smart grids, ug 5G communications.
Gallium arsenide (GaAs)usa ka materyal nga semiconductor nga nailhan tungod sa taas nga frequency, taas nga paglihok sa elektron, taas nga output sa kuryente, ubos nga kasaba, ug maayo nga linearity. Kini kaylap nga gigamit sa optoelectronics ug microelectronics industriya. Sa optoelectronics, ang GaAs substrates gigamit sa paghimo sa LED (light-emitting diodes), LD (laser diodes), ug photovoltaic device. Sa microelectronics, sila gigamit sa paghimo sa MESFETs (metal-semiconductor field-effect transistors), HEMTs (high electron mobility transistors), HBTs (heterojunction bipolar transistors), ICs (integrated circuits), microwave diodes, ug Hall effect device.
Indium phosphide (InP)mao ang usa sa importante nga III-V compound semiconductors, nailhan tungod sa iyang taas nga electron mobility, maayo kaayo nga radiation resistance, ug lapad nga bandgap. Kini kaylap nga gigamit sa optoelectronics ug microelectronics industriya.
