Ang asul / berde nga LED epitaxy gikan sa semicera nagtanyag mga cutting-edge nga solusyon alang sa high-performance nga paggama sa LED. Gidisenyo aron suportahan ang mga advanced nga proseso sa pagtubo sa epitaxial, ang teknolohiya sa Blue/green nga LED nga epitaxy sa semicera nagpauswag sa kahusayan ug katukma sa paghimo og asul ug berde nga mga LED, kritikal alang sa lainlaing mga aplikasyon sa optoelectronic. Gigamit ang state-of-the-art nga Si Epitaxy ug SiC Epitaxy, kini nga solusyon nagsiguro sa labing maayo nga kalidad ug kalig-on.
Sa proseso sa paghimo, ang MOCVD Susceptor adunay hinungdanon nga papel, kauban ang mga sangkap sama sa PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ug RTP Carrier, nga nag-optimize sa epitaxial growth environment. Ang Blue/green nga LED epitaxy sa Semicera gilaraw aron maghatag lig-on nga suporta para sa LED Epitaxial Susceptor, Barrel Susceptor, ug Monocrystalline Silicon, nga nagsiguro sa paghimo sa makanunayon, taas nga kalidad nga mga resulta.
Kini nga proseso sa epitaxy hinungdanon alang sa paghimo sa Photovoltaic Parts ug nagsuporta sa mga aplikasyon sama sa GaN sa SiC Epitaxy, pagpaayo sa kinatibuk-ang kahusayan sa semiconductor. Kung sa usa ka Pancake Susceptor configuration o gigamit sa uban pang mga advanced setup, ang semicera's Blue/green LED epitaxy solutions nagtanyag ug kasaligan nga performance, nga nagtabang sa mga tiggama nga makab-ot ang nagkadako nga panginahanglan alang sa taas nga kalidad nga mga sangkap sa LED.
Panguna nga mga bahin:
1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:
ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.
2. Taas nga kaputli : gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.
3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.
4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.
Panguna nga Detalye saCVD-SIC nga sapaw
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristal nga Istruktura | FCC β nga hugna | |
| Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
| Katig-a | Vickers katig-a | 2500 |
| Gidak-on sa lugas | μm | 2~10 |
| Pagkaputli sa Kemikal | % | 99.99995 |
| Kapasidad sa Kainit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sa Sublimation | ℃ | 2700 |
| Felexural nga Kusog | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Modulus sa Batan-on | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermal conductivity | (W/mK) | 300 |
