Graphite Susceptctor nga adunay Silicon Carbide Coating, Barrel tray

Mubo nga paghulagway:

Ang Semicera nagtanyag usa ka komprehensibo nga han-ay sa mga susceptor ug mga sangkap sa graphite nga gidisenyo alang sa lainlaing mga reaktor sa epitaxy.

Pinaagi sa estratehikong pakigtambayayong sa mga OEM nga nanguna sa industriya, kaylap nga kahanas sa materyales, ug mga advanced nga kapabilidad sa paggama, ang Semicera naghatod og gipahaum nga mga disenyo aron matubag ang piho nga mga kinahanglanon sa imong aplikasyon.Ang among pasalig sa excellence nagsiguro nga makadawat ka ug labing maayo nga mga solusyon alang sa imong mga kinahanglanon sa epitaxy reactor.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon

Naghatag ang among kompanya og mga serbisyo sa proseso sa coating sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa ibabaw sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay sulud nga carbon ug silicon molihok sa taas nga temperatura aron makuha ang taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa nawong sa mga materyal nga adunay sapaw, pagporma sa SIC protective layer.

mahitungod sa (1)

mahitungod sa (2)

Panguna nga mga Feature

1 .Taas nga kaputli SiC adunay sapaw graphite

2. Labaw nga kainit nga pagsukol & thermal uniformity

3. Maayo nga SiC nga kristal nga adunay sapaw alang sa usa ka hamis nga nawong

4. Taas nga kalig-on batok sa paglimpyo sa kemikal

Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating

SiC-CVD Properties
Kristal nga Istruktura	FCC β nga hugna
Densidad	g/cm ³	3.21
Katig-a	Vickers katig-a	2500
Gidak-on sa lugas	μm	2~10
Pagkaputli sa Kemikal	%	99.99995
Kapasidad sa Kainit	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimation	℃	2700
Felexural nga Kusog	MPa (RT 4-point)	415
Modulus sa Batan-on	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300