Ang CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring usa ka espesyal nga sangkap nga hinimo sa Silicon Carbide (SiC) gamit ang Chemical Vapor Deposition (CVD) nga pamaagi. Ang CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring adunay hinungdanon nga papel sa lainlaing mga aplikasyon sa industriya, labi na sa mga proseso nga naglambigit sa materyal nga pag-ukit. Ang Silicon Carbide usa ka talagsaon ug abante nga ceramic nga materyal nga nailhan tungod sa talagsaon nga mga kabtangan niini, lakip ang taas nga katig-a, maayo kaayo nga thermal conductivity ug pagbatok sa mapintas nga kemikal nga mga palibot.
Ang proseso sa Chemical Vapor Deposition naglakip sa pagdeposito sa usa ka nipis nga layer sa SiC ngadto sa usa ka substrate sa usa ka kontrolado nga palibot, nga miresulta sa usa ka taas nga kaputli ug tukma nga engineered nga materyal. Nailhan ang CVD Silicon Carbide tungod sa uniporme ug dasok nga microstructure, maayo kaayo nga kusog sa mekanikal ug gipauswag ang kalig-on sa thermal.
Ang CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring gihimo sa CVD Silicon Carbide, nga dili lamang nagsiguro sa maayo kaayo nga kalig-on, apan makasukol usab sa kemikal nga kaagnasan ug grabe nga mga pagbag-o sa temperatura. Gihimo kini nga sulundon alang sa mga aplikasyon diin ang katukma, kasaligan ug kinabuhi hinungdanon.
✓Taas nga kalidad sa merkado sa China
✓Maayong serbisyo kanunay para nimo, 7*24 oras
✓ Mubo nga petsa sa pagpadala
✓ Gamay nga MOQ gidawat ug gidawat
✓ Mga serbisyo sa kostumbre
Epitaxy Growth Susceptor
Ang mga wafer sa silicone/silicon carbide kinahanglan nga moagi sa daghang mga proseso aron magamit sa mga elektronik nga aparato. Usa ka importante nga proseso mao ang silicon/sic epitaxy, diin ang silicon/sic wafers gidala sa graphite base. Espesyal nga mga bentaha sa Semicera's silicon carbide-coated graphite base naglakip sa hilabihan ka taas nga kaputli, uniporme nga coating, ug hilabihan ka taas nga serbisyo sa kinabuhi. Adunay usab sila taas nga resistensya sa kemikal ug kalig-on sa kainit.
Paggama sa LED Chip
Atol sa halapad nga coating sa MOCVD reactor, ang planetary base o carrier nagpalihok sa substrate wafer. Ang paghimo sa base nga materyal adunay dako nga impluwensya sa kalidad sa coating, nga sa baylo makaapekto sa scrap rate sa chip. Ang silicon carbide-coated base sa Semicera nagdugang sa kahusayan sa paghimo sa taas nga kalidad nga LED wafers ug gipamubu ang wavelength deviation. Naghatag usab kami og dugang nga mga sangkap sa graphite alang sa tanan nga mga reaktor sa MOCVD nga gigamit karon. Mahimo namon nga saputan ang hapit bisan unsang sangkap nga adunay usa ka silicon carbide coating, bisan kung ang diametro sa sangkap hangtod sa 1.5M, mahimo gihapon namon nga magsul-ob sa silicon carbide.
Semiconductor Field, Proseso sa Oxidation Diffusion, Ug uban pa.
Sa proseso sa semiconductor, ang proseso sa pagpalapad sa oksihenasyon nanginahanglan taas nga kaputli sa produkto, ug sa Semicera nagtanyag kami mga kostumbre ug CVD coating nga serbisyo alang sa kadaghanan sa mga bahin sa silicon carbide.
Ang mosunod nga hulagway nagpakita sa rough-processed nga silicon carbide slurry sa Semicea ug ang silicon carbide furnace tube nga gilimpyohan sa 1000- lebelwalay aboglawak. Ang among mga trabahante nagtrabaho sa wala pa mag-coat. Ang kaputli sa among silicon carbide mahimong moabot sa 99.99%, ug ang kaputli sa sic coating mas dako pa kay sa 99.99995%
Hilaw nga Silicon Carbide Paddle ug SiC Process Tube sa Cleaing
Silicon Carbide Wafer Boat CVD SiC Coated
