Deskripsyon
Naghatag ang among kompanya og mga serbisyo sa proseso sa coating sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa ibabaw sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay sulud nga carbon ug silicon molihok sa taas nga temperatura aron makuha ang taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa nawong sa mga materyal nga adunay sapaw, pagporma sa SIC protective layer.
Panguna nga mga Feature
1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon: ang pagsukol sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.
2. Taas nga kaputli : gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.
3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.
4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.
Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristal nga Istruktura | FCC β nga hugna | |
| Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
| Katig-a | Vickers katig-a | 2500 |
| Gidak-on sa lugas | μm | 2~10 |
| Pagkaputli sa Kemikal | % | 99.99995 |
| Kapasidad sa Kainit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sa Sublimation | ℃ | 2700 |
| Felexural nga Kusog | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Modulus sa Batan-on | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermal conductivity | (W/mK) | 300 |
-
Graphite heater hot zone/graphite hot field, ca...
-
SiC pin trays para sa ICP etching nga mga proseso sa ...
-
Katunga nga Bahin para sa SiC Epitaxial Equipment
-
Carbide-Coated Reactor Barrel Reactor
-
SiC Coated Graphite Barrel para sa Epitaxial Growth
-
SiC-Coated Semiconductor Epitaxial Reactor alang sa ...