【 Summary description】 Sa modernong C, N, B ug uban pang non-oxide high-tech nga refractory nga hilaw nga materyales, ang atmospheric pressure sintered silicon carbide kay lapad ug ekonomikanhon, ug maingon nga emery o refractory sand.Ang puro nga silicon carbide walay kolor nga transparent nga kristal.Busa unsa ang materyal nga istruktura ug mga kinaiya sa silicon carbide?
Materyal nga istruktura sa atmospheric pressure sintered silicon carbide:
Ang presyur sa atmospera nga sintered silicon carbide nga gigamit sa industriya mao ang kahayag nga dalag, berde, asul ug itom sumala sa matang ug sulod sa mga hugaw, ug ang kaputli lahi ug ang transparency lahi.Ang silicon carbide kristal nga estraktura gibahin sa unom ka pulong o diamante nga porma nga plutonium ug cubic plutonium-sic.Ang plutonium-sic nagporma og lain-laing deformation tungod sa lain-laing stacking order sa carbon ug silicon atoms sa kristal nga structure, ug kapin sa 70 ka matang sa deformation ang nakit-an.Ang beta-SIC nakabig ngadto sa alpha-SIC sa ibabaw sa 2100. Ang industriyal nga proseso sa silicon carbide gipino nga adunay taas nga kalidad nga quartz nga balas ug petrolyo nga coke sa usa ka hudno sa pagsukol.Ang pinino nga mga bloke sa silicon carbide gidugmok, paglimpyo sa acid-base, magnetic separation, screening o pagpili sa tubig aron makahimo og lain-laing mga produkto nga gidak-on sa partikulo.
Materyal nga mga kinaiya sa atmospheric pressure sintered silicon carbide:
Ang Silicon carbide adunay maayo nga kalig-on sa kemikal, thermal conductivity, thermal expansion coefficient, wear resistance, mao nga dugang sa abrasive nga paggamit, adunay daghan nga mga gamit: Pananglitan, ang silicon carbide powder gitabonan sa sulod nga bungbong sa turbine impeller o cylinder block nga adunay usa ka espesyal nga proseso, nga makapauswag sa pagsukol sa pagsul-ob ug pagpalugway sa kinabuhi sa 1 hangtod 2 ka beses.Gihimo sa init-resistant, gamay nga gidak-on, gaan nga gibug-aton, taas nga kalig-on sa mga high-grade nga refractory nga mga materyales, maayo kaayo ang kahusayan sa enerhiya.Ang low-grade nga silicon carbide (lakip ang mga 85% SiC) usa ka maayo kaayo nga deoxidizer alang sa pagdugang sa katulin sa paghimo og asero ug dali nga pagkontrol sa komposisyon sa kemikal aron mapaayo ang kalidad sa asero.Dugang pa, ang presyur sa atmospera nga sintered silicon carbide kaylap usab nga gigamit sa paghimo sa mga de-koryenteng bahin sa silicon carbon rods.
Ang silicone carbide lisud kaayo.Ang katig-a sa Morse mao ang 9.5, ikaduha lamang sa gahi nga diamante sa kalibutan (10), usa ka semiconductor nga adunay maayo kaayo nga thermal conductivity, makasukol sa oksihenasyon sa taas nga temperatura.Ang Silicon carbide adunay labing menos 70 ka klase nga kristal.Ang plutonium-silicon carbide usa ka komon nga isomer nga naporma sa temperatura nga labaw sa 2000 ug adunay hexagonal nga kristal nga istruktura (susama sa wurtzite).Sintered silicon carbide ubos sa atmospera pressure
Paggamit sa silicon carbide sa industriya sa semiconductor
Ang kadena sa industriya sa silicon carbide semiconductor nag-una naglakip sa silicon carbide high-purity powder, single crystal substrate, epitaxial sheet, power components, module packaging ug terminal applications.
1. Usa ka kristal nga substrate Ang usa ka kristal nga substrate usa ka semiconductor nga nagsuporta nga materyal, conductive nga materyal ug epitaxial growth substrate.Sa pagkakaron, ang mga pamaagi sa pagtubo sa SiC single crystal naglakip sa physical vapor transfer method (PVT method), liquid phase method (LPE method), ug high temperature chemical vapor deposition method (HTCVD method).Sintered silicon carbide ubos sa atmospera pressure
2. Epitaxial sheet Silicon carbide epitaxial sheet, silicon carbide sheet, single crystal film (epitaxial layer) nga adunay parehas nga direksyon sa substrate nga kristal nga adunay piho nga mga kinahanglanon alang sa silicon carbide substrate.Sa praktikal nga mga aplikasyon, ang lapad nga band gap semiconductor nga mga himan halos tanan gihimo sa epitaxial layer, ug ang silicon chip mismo gigamit lamang isip substrate, lakip ang substrate sa GaN epitaxial layer.
3. High-purity silicon carbide powder Ang high-purity silicon carbide powder mao ang hilaw nga materyal alang sa pagtubo sa silicon carbide single crystal pinaagi sa PVT nga pamaagi, ug ang kaputli sa produkto direktang makaapekto sa kalidad sa pagtubo ug electrical nga mga kinaiya sa silicon carbide single crystal.
4. Ang power device usa ka lapad nga banda nga gahum nga hinimo sa silicon carbide nga materyal, nga adunay mga kinaiya sa taas nga temperatura, taas nga frequency ug taas nga kahusayan.Sumala sa operating nga porma sa device, ang SiC power supply device nag-una naglakip sa usa ka power diode ug usa ka power switch tube.
5. Terminal Sa ikatulo nga henerasyon nga semiconductor nga aplikasyon, ang silicon carbide semiconductors adunay bentaha nga mahimong komplementaryo sa gallium nitride semiconductors.Tungod sa taas nga pagkaayo sa pagkakabig, ubos nga mga kinaiya sa pagpainit, gaan ug uban pang mga bentaha sa mga aparato sa SiC, ang panginahanglan sa industriya sa ubos nagpadayon sa pagdugang, ug adunay us aka us aka us aka us aka us aka us aka mga aparato nga SiO2.
Oras sa pag-post: Okt-16-2023