Semiconductor SiC adunay sapaw nga monocrystalline silicon epitaxial disk

Ang Semiconductor SiC nga adunay sapaw nga monocrystalline silicon epitaxial disk Gipili nga Hulagway

Mubo nga paghulagway:

Ang Semicera Energy Technology Co., Ltd. usa ka nanguna nga supplier nga nag-espesyalisar sa wafer ug advanced semiconductor consumables.Kami dedikado sa paghatag og taas nga kalidad, kasaligan, ug bag-ong mga produkto sa semiconductor manufacturing,industriya sa photovoltaicug uban pang may kalabutan nga mga natad.

Ang among linya sa produkto naglakip sa SiC / TaC nga adunay sapaw nga graphite nga mga produkto ug mga produkto nga seramik, nga naglangkob sa lainlaing mga materyales sama sa silicon carbide, silicon nitride, ug aluminum oxide ug uban pa.

Isip usa ka kasaligan nga supplier, nasabtan namo ang importansya sa mga consumable sa proseso sa paggama, ug kami komitado sa paghatud sa mga produkto nga nakab-ot ang labing taas nga kalidad nga mga sumbanan aron matuman ang mga panginahanglanon sa among mga kostumer.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon

Ang among kompanya naghatagSiC coatingproseso sa mga serbisyo pinaagi sa CVD nga pamaagi sa ibabaw sa nawong sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, sa pagkaagi nga ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon reaksiyon sa taas nga temperatura sa pag-angkon sa hatag-as nga kaputli SiC molekula, mga molekula nga gideposito sa ibabaw sa nawong sa adunay sapaw nga mga materyales, pagpormaSIC protective layer.

Panguna nga mga Feature

1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:
ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.
2. Taas nga kaputli: gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.
3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.
4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.

Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating

SiC-CVD Properties
Kristal nga Istruktura	FCC β nga hugna
Densidad	g/cm ³	3.21
Katig-a	Vickers katig-a	2500
Gidak-on sa lugas	μm	2~10
Pagkaputli sa Kemikal	%	99.99995
Kapasidad sa Kainit	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimation	℃	2700
Felexural nga Kusog	MPa (RT 4-point)	415
Modulus sa Batan-on	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300