SiC Caoted GAN Epi Wafer Carrier

Mubo nga Deskripsyon:

Ang Semicera Semiconductor's SiC Coated GaN Epi Wafer Carrier nagtanyag talagsaon nga durability ug thermal stability para sa GaN epitaxy nga mga proseso. Pagsalig sa Semicera alang sa high-performance nga mga carrier nga adunay advanced SiC coating technology, nga gidisenyo aron ma-optimize ang imong pagdumala sa wafer ug mapausbaw ang kahusayan.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon

Ang Semicera GaN Epitaxy Carrier gidesinyo pag-ayo aron matubag ang higpit nga mga panginahanglanon sa modernong paghimo sa semiconductor. Uban ang pundasyon sa taas nga kalidad nga mga materyales ug katukma nga inhenyero, kini nga carrier nagbarug tungod sa talagsaon nga pasundayag ug kasaligan. Ang panagsama sa Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) coating nagsiguro sa labing maayo nga durability, thermal efficiency, ug proteksyon, nga naghimo niini nga usa ka gipili nga pagpili alang sa mga propesyonal sa industriya.

Pangunang mga bahin

1. Talagsaon nga Kalig-onAng CVD SiC coating sa GaN Epitaxy Carrier nagpalambo sa resistensya niini sa pagsul-ob ug pagkagisi, nga makapalugway sa kinabuhi sa operasyon niini. Kini nga kalig-on nagsiguro sa makanunayon nga pasundayag bisan sa gipangayo nga mga palibot sa paggama, nga nagpakunhod sa panginahanglan alang sa kanunay nga pagpuli ug pagpadayon.

2. Labaw nga Thermal EfficiencyAng pagdumala sa thermal kritikal sa paghimo sa semiconductor. Ang mga advanced nga thermal properties sa GaN Epitaxy Carrier nagpadali sa episyente nga pagwagtang sa kainit, pagmintinar sa labing maayo nga kondisyon sa temperatura sa panahon sa proseso sa pagtubo sa epitaxial. Kini nga kahusayan dili lamang nagpauswag sa kalidad sa mga semiconductor wafers apan nagpauswag usab sa kinatibuk-ang kahusayan sa produksiyon.

3. Mga Kapabilidad sa PagpanalipodAng SiC coating naghatag og lig-on nga panalipod batok sa kemikal nga corrosion ug thermal shocks. Gisiguro niini nga ang integridad sa carrier mapadayon sa tibuuk nga proseso sa paggama, gipanalipdan ang mga delikado nga materyales sa semiconductor ug gipauswag ang kinatibuk-ang ani ug kasaligan sa proseso sa paghimo.