SiC Coated Graphite Base Susceptors para sa MOCVD

SiC Coated Graphite Base Susceptorspara sa MOCVD gikan sa semicera gi-engineered aron makahatag ug talagsaong pasundayag sa mga proseso sa pagtubo sa epitaxial. Ang taas nga kalidad nga silicon carbide coating sa graphite base nagsiguro sa kalig-on, kalig-on, ug labing maayo nga thermal conductivity sa panahon sa MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) nga mga operasyon. Pinaagi sa paggamit sa bag-ong teknolohiya sa susceptor sa semicera, mahimo nimong makab-ot ang gipauswag nga katukma ug kahusayan saSi EpitaxyugSiC Epitaxymga aplikasyon.

KiniMga Susceptor sa MOCVDgidisenyo sa pagsuporta sa usa ka lain-laing mga importante nga semiconductor component, sama saPSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ugRTP Carrier, nga naghimo kanila nga daghag gamit alang sa nagkalain-laing etching ug epitaxial nga mga buluhaton. Ang pasalig sa Semicera sa taas nga mga sumbanan nagsiguro nga kini nga mga susceptor nakab-ot ang higpit nga mga gipangayo sa modernong produksiyon sa semiconductor.

Maayo nga gamiton saLED EpitaxialSusceptor, Barrel Susceptor, ug Monocrystalline Silicon nga mga proseso, kini nga mga susceptor mahimong ipasibo alang sa lain-laing mga gidak-on sa wafer, lakip ang Pancake Susceptor configurations. Epektibo usab sila sa pagdumala sa mga Parte sa Photovoltaic, nga naghimo kanila nga hinungdanon nga sangkap sa pagpauswag sa episyente nga mga solar cell.

Dugang pa, ang SiC Coated Graphite Base Susceptors para sa MOCVD gi-optimize alang sa GaN sa SiC Epitaxy, nga nagtanyag taas nga pagkaangay sa mga advanced nga materyales sa semiconductor. Kung naka-focus ka sa pagpauswag sa mga ani o pagpausbaw sa kalidad sa pagtubo sa epitaxial, ang mga susceptor sa semicera naghatag sa kasaligan ug pasundayag nga gikinahanglan alang sa kalampusan sa high-tech nga mga industriya.