Semiconductor Silicon nga nakabase sa GaN epitaxy

Deskripsyon sa Produkto

Naghatag ang among kompanya og mga serbisyo sa proseso sa coating sa SiC pinaagi sa pamaagi sa CVD sa ibabaw sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, aron ang mga espesyal nga gas nga adunay sulud nga carbon ug silicon molihok sa taas nga temperatura aron makuha ang taas nga kaputli nga mga molekula sa SiC, mga molekula nga gideposito sa nawong sa mga materyal nga adunay sapaw, pagporma sa SIC protective layer.

Panguna nga mga bahin:

1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:

ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.

2. Taas nga kaputli : gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.

3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.

4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.