Silicon based GaN epitaxy

Mubo nga paghulagway:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. mao ang nag-unang supplier sa advanced semiconductor ceramics ug ang bugtong tiggama sa China nga dungan nga makahatag og high-purity silicon carbide ceramic (ilabi na angGi-recrystallize SiC) ug CVD SiC coating.Dugang pa, ang among kompaniya komitado usab sa mga natad sa seramik sama sa alumina, aluminum nitride, zirconia, ug silicon nitride, ug uban pa.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon sa Produkto

Ang among kompanya naghatagSiC coatingproseso sa mga serbisyo pinaagi sa CVD nga pamaagi sa ibabaw sa nawong sa graphite, seramiko ug uban pang mga materyales, sa pagkaagi nga ang mga espesyal nga gas nga adunay carbon ug silicon reaksiyon sa taas nga temperatura sa pag-angkon sa hatag-as nga kaputli SiC molekula, mga molekula nga gideposito sa ibabaw sa nawong sa adunay sapaw nga mga materyales, pagpormaSIC protective layer.

Panguna nga mga bahin:

1. Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon:

ang resistensya sa oksihenasyon maayo pa kaayo kung ang temperatura ingon ka taas sa 1600 C.

2. Taas nga kaputli : gihimo pinaagi sa kemikal nga alisngaw deposition ubos sa taas nga temperatura chlorination kahimtang.

3. Pagbatok sa erosion: taas nga katig-a, compact nga nawong, maayong mga partikulo.

4. Pagbatok sa kaagnasan: acid, alkali, asin ug mga organikong reagents.

Panguna nga Detalye sa CVD-SIC Coating

SiC-CVD Properties
Kristal nga Istruktura	FCC β nga hugna
Densidad	g/cm ³	3.21
Katig-a	Vickers katig-a	2500
Gidak-on sa lugas	μm	2~10
Pagkaputli sa Kemikal	%	99.99995
Kapasidad sa Kainit	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sa Sublimation	℃	2700
Felexural nga Kusog	MPa (RT 4-point)	415
Modulus sa Batan-on	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300