Silicon Carbide Substrates|SiC Wafers

Mubo nga paghulagway:

Ang WeiTai Energy Technology Co., Ltd. usa ka nanguna nga supplier nga nag-espesyalisar sa wafer ug advanced semiconductor consumables.Kami dedikado sa paghatag og taas nga kalidad, kasaligan, ug bag-ong mga produkto sa semiconductor manufacturing, photovoltaic nga industriya ug uban pang may kalabutan nga mga natad.

Ang among linya sa produkto naglakip sa SiC / TaC nga adunay sapaw nga graphite nga mga produkto ug mga produkto nga seramik, nga naglangkob sa lainlaing mga materyales sama sa silicon carbide, silicon nitride, ug aluminum oxide ug uban pa.

Sa pagkakaron, kami ra ang tiggama nga naghatag kaputli nga 99.9999% nga SiC coating ug 99.9% nga recrystallized silicon carbide.Ang labing taas nga SiC coating nga gitas-on mahimo namon nga 2640mm.

Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Silicon carbide (SiC) single nga kristal nga materyal nga adunay usa ka dako nga band gintang gilapdon (~ Si 3 ka beses), taas nga thermal conductivity (~ Si 3.3 ka beses o GaAs 10 ka beses), taas nga electron saturation migration rate (~ Si 2.5 ka beses), taas nga breakdown electric field (~ Si 10 ka beses o GaAs 5 ka beses) ug uban pang talagsaong mga kinaiya.

Ang mga aparato sa SiC adunay dili mapulihan nga mga bentaha sa natad sa taas nga temperatura, taas nga presyur, taas nga frequency, taas nga gahum sa elektronik nga mga aparato ug grabe nga mga aplikasyon sa kalikopan sama sa aerospace, militar, enerhiya nukleyar, ug uban pa, naghimo sa mga depekto sa tradisyonal nga mga aparato nga materyal nga semiconductor sa praktikal. aplikasyon, ug anam-anam nga nahimong mainstream sa power semiconductors.

4H-SiC Silicon carbide substrate specifications

Butang项目	Mga Detalye参数
Polytype 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Diametro 晶圆直径	2 ka pulgada \|3 ka pulgada \|4 ka pulgada \|6 ka pulgada	2 ka pulgada \|3 ka pulgada \|4 ka pulgada \|6 ka pulgada
Gibag-on 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Conductivity 导电类型	N – tipo / Semi-insulating N型导电片/ 半绝缘片	N – tipo / Semi-insulating N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 ( Nitrogen )V ( Vanadium )	N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium )
orientasyon 晶向	Sa axis <0001> Off axis <0001> off 4°	Sa axis <0001> Off axis <0001> off 4°
Pagkasukol 电阻率	0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N)	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N)
Densidad sa Micropipe (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Pana / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Nawong 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Grado 产品等级	Grado sa produksiyon / panukiduki	Grado sa produksiyon / panukiduki
Crystal Stacking Sequence 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parameter sa lattice 晶格参数	a=3.076A , c=10.053A	a=3.073A , c=15.117A
Eg/eV(Band-gap) 禁带宽度	3.27 eV	3.02 eV
ε(Dielectric Constant) 介电常数	9.6	9.66
Refraction Index 折射率	n0 =2.719 ne =2.777	n0 =2.707 , ne =2.755

6H-SiC Silicon Carbide substrate specifications

Butang项目	Mga Detalye参数
Polytype 晶型	6H-SiC
Diametro 晶圆直径	4 ka pulgada \|6 ka pulgada
Gibag-on 厚度	350μm ~ 450μm
Conductivity 导电类型	N – tipo / Semi-insulating N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2(Nitroheno) V (Vanadium)
orientasyon 晶向	<0001> gikan sa 4°± 0.5°
Pagkasukol 电阻率	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N Type)
Densidad sa Micropipe (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Pana / Warp 翘曲度	≤25 μm
Nawong 表面处理	Nawong: CMP, Epi-Ready C Nawong: Optical Polish
Grado 产品等级	Grado sa panukiduki